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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 130mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS84-7-F
  仓库库存编号：BSS84-FDICT-ND
  别名：BSS84-FDICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS138-7-F
  仓库库存编号：BSS138-FDICT-ND
  别名：BSS138-FDICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23
  
  型号：MMBF170
  仓库库存编号：MMBF170CT-ND
  别名：MMBF170CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 280mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23（TO-236AB）
  
  型号：NDS7002A
  仓库库存编号：NDS7002ACT-ND
  别名：NDS7002ACT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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  无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS138TA
  仓库库存编号：BSS138ZXCT-ND
  别名：BSS138ZX
  BSS138ZXCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.26A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR5103NT1G
  仓库库存编号：NTR5103NT1GOSCT-ND
  别名：NTR5103NT1GOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS123-7-F
  仓库库存编号：BSS123-FDICT-ND
  别名：BSS123-FDICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BS870-7-F
  仓库库存编号：BS870-FDICT-ND
  别名：BS870-FDICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：MMBF170-7-F
  仓库库存编号：MMBF170-FDICT-ND
  别名：MMBF170-FDICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS84PWH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS84PWH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS84PWH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 630mA（Tc） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS209PWH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS209PWH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS209PWH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 380mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-323
  
  型号：DMN63D8LW-7
  仓库库存编号：DMN63D8LW-7DICT-ND
  别名：DMN63D8LW-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Micro Commercial Co
  N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-323
  
  型号：BSS138W-TP
  仓库库存编号：BSS138W-TPMSCT-ND
  别名：BSS138W-TPMSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：MMBF170Q-7-F
  仓库库存编号：MMBF170Q-7-FDICT-ND
  别名：MMBF170Q-7-FDICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 0.25A SOT323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-323
  
  型号：DMP32D4SW-7
  仓库库存编号：DMP32D4SW-7DICT-ND
  别名：DMP32D4SW-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 300mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：SI1032X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1032X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1032X-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-323
  
  型号：DMN65D8LW-7
  仓库库存编号：DMN65D8LW-7DICT-ND
  别名：DMN65D8LW-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET P-CH 20V 650MA SOT523
  详细描述：表面贴装 P 沟道 650mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-523
  
  型号：CMUDM8005 TR
  仓库库存编号：CMUDM8005 CT-ND
  别名：CMUDM8005 CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 20V 650MA SOT523
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-523
  
  型号：CMUDM7005 TR
  仓库库存编号：CMUDM7005 CT-ND
  别名：CMUDM7005 CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
  详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-523
  
  型号：DMN26D0UT-7
  仓库库存编号：DMN26D0UT-7DICT-ND
  别名：DMN26D0UT-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 380mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-323
  
  型号：DMN63D8LW-13
  仓库库存编号：DMN63D8LW-13DICT-ND
  别名：DMN63D8LW-13DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2N7002KCX RFG
  仓库库存编号：TSM2N7002KCX RFGTR-ND
  别名：TSM2N7002KCX RFGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2N7002KCX RFG
  仓库库存编号：TSM2N7002KCX RFGCT-ND
  别名：TSM2N7002KCX RFGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2N7002KCX RFG
  仓库库存编号：TSM2N7002KCX RFGDKR-ND
  别名：TSM2N7002KCX RFGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS138Q-7-F
  仓库库存编号：BSS138Q-7-FDI-ND
  别名：BSS138Q-7-FDI
  
  规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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