规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
详细描述:表面贴装 P 沟道 155mA(Ta) 300mW(Ta) SC-75A
型号:
SI1031X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1031X-T1-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.915A SC75
详细描述:表面贴装 N 沟道 915mA(Ta) 300mW(Ta) SC-75,SOT-416
型号:
NVA4153NT1G
仓库库存编号:
NVA4153NT1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
无铅
搜索
TT Electronics/Optek Technology
MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 300mW(Ta) 3-SMD
型号:
HCT7000M
仓库库存编号:
HCT7000M-ND
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
含铅
搜索
TT Electronics/Optek Technology
MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 300mW(Ta) 3-SMD
型号:
HCT7000MTX
仓库库存编号:
HCT7000MTX-ND
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
含铅
搜索
TT Electronics/Optek Technology
MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 300mW(Ta) 3-SMD
型号:
HCT7000MTXV
仓库库存编号:
HCT7000MTXV-ND
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
含铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 250mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BS870-7
仓库库存编号:
BS870DICT-ND
别名:BS870
BS8707
BS870CT
BS870CT-ND
BS870DICT
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
含铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 200mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138-7
仓库库存编号:
BSS138DICT-ND
别名:BSS1387
BSS138DICT
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
含铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 130mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS84-7
仓库库存编号:
BSS84DICT-ND
别名:BSS847
BSS84DICT
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
含铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 500mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3
型号:
MMBF170-7
仓库库存编号:
MMBF170DICT-ND
别名:MMBF1707
MMBF170DICT
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS123-7
仓库库存编号:
BSS123DICT-ND
别名:BSS1237
BSS123DICT
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 200mA(Ta) 300mW(Ta) SC-89-3
型号:
SI1032X-T1-E3
仓库库存编号:
SI1032X-T1-E3CT-ND
别名:SI1032X-T1-E3CT
SI1032XT1E3
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.8A(Ta) 300mW(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS4160NT1G
仓库库存编号:
NTJS4160NT1GOSCT-ND
别名:NTJS4160NT1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 155mA(Ta) 300mW(Ta) SC-75A
型号:
SI1031X-T1-E3
仓库库存编号:
SI1031X-T1-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 150mA(Ta) 300mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS84PW
仓库库存编号:
BSS84PWINCT-ND
别名:BSS84PWINCT
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 580mA(Ta) 300mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS209PW L6327
仓库库存编号:
BSS209PW L6327-ND
别名:SP000245422
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
无铅
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MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 150mA(Ta) 300mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS84PW L6327
仓库库存编号:
BSS84PW L6327-ND
别名:SP000247312
规格:功率耗散(最大值) 300mW(Ta),
无铅
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