规格:功率耗散(最大值) 350mW(Ta), 6.25W(Tc),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ130UNEYL
仓库库存编号:
1727-2316-1-ND
别名:1727-2316-1
568-12602-1
568-12602-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 350mW(Ta), 6.25W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006B-3
型号:
PMZB200UNEYL
仓库库存编号:
1727-2327-1-ND
别名:1727-2327-1
568-12613-1
568-12613-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 350mW(Ta), 6.25W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ320UPEYL
仓库库存编号:
1727-2319-1-ND
别名:1727-2319-1
568-12605-1
568-12605-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 350mW(Ta), 6.25W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.5A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006B-3
型号:
PMZB150UNEYL
仓库库存编号:
1727-2326-1-ND
别名:1727-2326-1
568-12612-1
568-12612-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 350mW(Ta), 6.25W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.4A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ200UNEYL
仓库库存编号:
1727-2317-1-ND
别名:1727-2317-1
568-12603-1
568-12603-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 350mW(Ta), 6.25W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006B-3
型号:
PMZB320UPEYL
仓库库存编号:
1727-2329-1-ND
别名:1727-2329-1
568-12615-1
568-12615-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 350mW(Ta), 6.25W(Tc),
无铅
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