规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(67)
分立半导体产品
(67)
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 200mW(Ta) SMT3
型号:
RHK005N03T146
仓库库存编号:
RHK005N03T146CT-ND
别名:RHK005N03T146CT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-346
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 200mW(Ta) SMT3
型号:
RHK003N06T146
仓库库存编号:
RHK003N06T146CT-ND
别名:RHK003N06T146CT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-523
型号:
DMN66D0LT-7
仓库库存编号:
DMN66D0LTDICT-ND
别名:DMN66D0LTDICT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
2SK3018-TP
仓库库存编号:
2SK3018-TPMSCT-ND
别名:2SK3018-TPMSCT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 160mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-523
型号:
DMN55D0UTQ-7
仓库库存编号:
DMN55D0UTQ-7DICT-ND
别名:DMN55D0UTQ-7DICT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI
详细描述:表面贴装 N 沟道 50mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59
型号:
2SK1828TE85LF
仓库库存编号:
2SK1828TE85LFCT-ND
别名:2SK1828TE85LFCT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A USV
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 200mW(Ta) USV
型号:
SSM5N15FU,LF
仓库库存编号:
SSM5N15FULFCT-ND
别名:SSM5N15FU(TE85LF)CT
SSM5N15FU(TE85LF)CT-ND
SSM5N15FULFCT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
详细描述:表面贴装 P 沟道 130mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
BSS84WQ-7-F
仓库库存编号:
BSS84WQ-7-FDICT-ND
别名:BSS84WQ-7-FDICT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-23-3
型号:
2N7002L
仓库库存编号:
2N7002LCT-ND
别名:2N7002LCT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59
型号:
2SJ168TE85LF
仓库库存编号:
2SJ168TE85LFCT-ND
别名:2SJ168TE85LFCT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
型号:
RUU002N05T106
仓库库存编号:
RUU002N05T106CT-ND
别名:RUU002N05T106CT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN66D0LW-7
仓库库存编号:
DMN66D0LW-7DICT-ND
别名:DMN66D0LW-7DICT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
型号:
RHU003N03T106
仓库库存编号:
RHU003N03T106CT-ND
别名:RHU003N03T106CT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN601WKQ-7
仓库库存编号:
DMN601WKQ-7DICT-ND
别名:DMN601WKQ-7DICT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 250mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
型号:
RTU002P02T106
仓库库存编号:
RTU002P02T106CT-ND
别名:RTU002P02T106CT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59
型号:
2SJ305TE85LF
仓库库存编号:
2SJ305TE85LFCT-ND
别名:2SJ305TE85LFCT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Micro Commercial Co
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-23
型号:
2N7002-TP
仓库库存编号:
2N7002-TPMSCT-ND
别名:2N7002-TPMSCT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) S-Mini
型号:
SSM3K7002BS,LF
仓库库存编号:
SSM3K7002BSLFCT-ND
别名:SSM3K7002BF(T5LF)CT
SSM3K7002BF(T5LF)CT-ND
SSM3K7002BSLF(DCT
SSM3K7002BSLF(DCT-ND
SSM3K7002BSLFCT
SSM3K7002F(TE85LFCT
SSM3K7002F(TE85LFCT-ND
SSM3K7002FCT
SSM3K7002FCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) TO-236
型号:
2N7002-T1-GE3
仓库库存编号:
2N7002-T1-GE3CT-ND
别名:2N7002-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 200mW(Ta) USV
型号:
SSM5N16FUTE85LF
仓库库存编号:
SSM5N16FUTE85LFCT-ND
别名:SSM5N16FUTE85LFCT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59-3
型号:
2SK2009TE85LF
仓库库存编号:
2SK2009TE85LFCT-ND
别名:2SK2009TE85LFCT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
2N7002W-7-F
仓库库存编号:
2N7002W-FDICT-ND
别名:2N7002W-FDICT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) TO-236
型号:
2N7002-T1-E3
仓库库存编号:
2N7002-T1-E3CT-ND
别名:2N7002-T1-E3CT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59
型号:
SSM3K7002BF,LF
仓库库存编号:
SSM3K7002BFLFCT-ND
别名:SSM3K7002BFLFCT
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN601WKQ-13
仓库库存编号:
DMN601WKQ-13-ND
规格:功率耗散(最大值) 200mW(Ta),
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号