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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 200mW（Ta） SMT3
型号：
RHK005N03T146
仓库库存编号：
RHK005N03T146CT-ND
别名：RHK005N03T146CT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-346
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 200mW（Ta） SMT3
型号：
RHK003N06T146
仓库库存编号：
RHK003N06T146CT-ND
别名：RHK003N06T146CT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-523
型号：
DMN66D0LT-7
仓库库存编号：
DMN66D0LTDICT-ND
别名：DMN66D0LTDICT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
型号：
2SK3018-TP
仓库库存编号：
2SK3018-TPMSCT-ND
别名：2SK3018-TPMSCT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 160mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-523
型号：
DMN55D0UTQ-7
仓库库存编号：
DMN55D0UTQ-7DICT-ND
别名：DMN55D0UTQ-7DICT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI
详细描述：表面贴装 N 沟道 50mA（Ta） 200mW（Ta） SC-59
型号：
2SK1828TE85LF
仓库库存编号：
2SK1828TE85LFCT-ND
别名：2SK1828TE85LFCT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A USV
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 200mW（Ta） USV
型号：
SSM5N15FU,LF
仓库库存编号：
SSM5N15FULFCT-ND
别名：SSM5N15FU(TE85LF)CT
SSM5N15FU(TE85LF)CT-ND
SSM5N15FULFCT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
详细描述：表面贴装 P 沟道 130mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
型号：
BSS84WQ-7-F
仓库库存编号：
BSS84WQ-7-FDICT-ND
别名：BSS84WQ-7-FDICT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-23-3
型号：
2N7002L
仓库库存编号：
2N7002LCT-ND
别名：2N7002LCT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI
详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） SC-59
型号：
2SJ168TE85LF
仓库库存编号：
2SJ168TE85LFCT-ND
别名：2SJ168TE85LFCT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） UMT3
型号：
RUU002N05T106
仓库库存编号：
RUU002N05T106CT-ND
别名：RUU002N05T106CT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
型号：
DMN66D0LW-7
仓库库存编号：
DMN66D0LW-7DICT-ND
别名：DMN66D0LW-7DICT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 200mW（Ta） UMT3
型号：
RHU003N03T106
仓库库存编号：
RHU003N03T106CT-ND
别名：RHU003N03T106CT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
型号：
DMN601WKQ-7
仓库库存编号：
DMN601WKQ-7DICT-ND
别名：DMN601WKQ-7DICT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323
详细描述：表面贴装 P 沟道 250mA（Ta） 200mW（Ta） UMT3
型号：
RTU002P02T106
仓库库存编号：
RTU002P02T106CT-ND
别名：RTU002P02T106CT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI
详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） SC-59
型号：
2SJ305TE85LF
仓库库存编号：
2SJ305TE85LFCT-ND
别名：2SJ305TE85LFCT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-23
型号：
2N7002-TP
仓库库存编号：
2N7002-TPMSCT-ND
别名：2N7002-TPMSCT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） S-Mini
型号：
SSM3K7002BS,LF
仓库库存编号：
SSM3K7002BSLFCT-ND
别名：SSM3K7002BF(T5LF)CT
SSM3K7002BF(T5LF)CT-ND
SSM3K7002BSLF(DCT
SSM3K7002BSLF(DCT-ND
SSM3K7002BSLFCT
SSM3K7002F(TE85LFCT
SSM3K7002F(TE85LFCT-ND
SSM3K7002FCT
SSM3K7002FCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） TO-236
型号：
2N7002-T1-GE3
仓库库存编号：
2N7002-T1-GE3CT-ND
别名：2N7002-T1-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 200mW（Ta） USV
型号：
SSM5N16FUTE85LF
仓库库存编号：
SSM5N16FUTE85LFCT-ND
别名：SSM5N16FUTE85LFCT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） SC-59-3
型号：
2SK2009TE85LF
仓库库存编号：
2SK2009TE85LFCT-ND
别名：2SK2009TE85LFCT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
型号：
2N7002W-7-F
仓库库存编号：
2N7002W-FDICT-ND
别名：2N7002W-FDICT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） TO-236
型号：
2N7002-T1-E3
仓库库存编号：
2N7002-T1-E3CT-ND
别名：2N7002-T1-E3CT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
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MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） SC-59
型号：
SSM3K7002BF,LF
仓库库存编号：
SSM3K7002BFLFCT-ND
别名：SSM3K7002BFLFCT
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
无铅
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MOSFET NCH 60V SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mW（Ta） SOT-323
型号：
DMN601WKQ-13
仓库库存编号：
DMN601WKQ-13-ND
规格：功率耗散（最大值） 200mW（Ta）,
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