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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CHA 20V 2.4A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 840mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMG2301LK-7
  仓库库存编号：DMG2301LK-7DICT-ND
  别名：DMG2301LK-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 840mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Ta） 840mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4177PR2G
  仓库库存编号：NTMS4177PR2GCT-ND
  别名：NTMS4177PR2GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 840mW（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9A（Ta） 840mW（Ta） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS3A08PZTWG
  仓库库存编号：NTTFS3A08PZTWGOSCT-ND
  别名：NTTFS3A08PZTWGOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 840mW（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8103-H(TE85LFM
  仓库库存编号：TPCP8103-H(TE85LFMCT-ND
  别名：TPCP8103-H(TE85LFMCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 840mW（Ta）,
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  无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 840mW（Ta） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS3A08PZTAG
  仓库库存编号：NTTFS3A08PZTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS3A08PZTAGOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 840mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 20V 2.4A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Ta） 840mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMG2301LK-13
  仓库库存编号：DMG2301LK-13-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 840mW（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.2A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8003-H(TE85L,F
  仓库库存编号：TPCP8003-H(TE85L,F-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 840mW（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8005-H(TE85L,F
  仓库库存编号：TPCP8005-HTE85LFCT-ND
  别名：TPCP8005-HTE85LFCT
  TPCP8005HTE85LF
  
  规格：功率耗散（最大值） 840mW（Ta）,
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  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8004(TE85L,F)
  仓库库存编号：TPCP8004(TE85LF)CT-ND
  别名：TPCP8004(TE85LF)CT
  TPCP8004TE85LF
  
  规格：功率耗散（最大值） 840mW（Ta）,
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  无铅
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