规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2305CX RFG
仓库库存编号:
TSM2305CX RFGTR-ND
别名:TSM2305CX RFGTR
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2305CX RFG
仓库库存编号:
TSM2305CX RFGCT-ND
别名:TSM2305CX RFGCT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2305CX RFG
仓库库存编号:
TSM2305CX RFGDKR-ND
别名:TSM2305CX RFGDKR
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.9A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2318CX RFG
仓库库存编号:
TSM2318CX RFGTR-ND
别名:TSM2318CX RFGTR
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.9A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2318CX RFG
仓库库存编号:
TSM2318CX RFGCT-ND
别名:TSM2318CX RFGCT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.9A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2318CX RFG
仓库库存编号:
TSM2318CX RFGDKR-ND
别名:TSM2318CX RFGDKR
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta) 1.25W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6K504NU,LF
仓库库存编号:
SSM6K504NULFCT-ND
别名:SSM6K504NULFCT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.5A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2306CX RFG
仓库库存编号:
TSM2306CX RFGTR-ND
别名:TSM2306CX RFGTR
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.5A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2306CX RFG
仓库库存编号:
TSM2306CX RFGCT-ND
别名:TSM2306CX RFGCT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.5A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2306CX RFG
仓库库存编号:
TSM2306CX RFGDKR-ND
别名:TSM2306CX RFGDKR
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3A(Tc) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2307CX RFG
仓库库存编号:
TSM2307CX RFGTR-ND
别名:TSM2307CX RFGTR
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3A(Tc) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2307CX RFG
仓库库存编号:
TSM2307CX RFGCT-ND
别名:TSM2307CX RFGCT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3A(Tc) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2307CX RFG
仓库库存编号:
TSM2307CX RFGDKR-ND
别名:TSM2307CX RFGDKR
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.9A(Tc) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2314CX RFG
仓库库存编号:
TSM2314CX RFGTR-ND
别名:TSM2314CX RFGTR
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.9A(Tc) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2314CX RFG
仓库库存编号:
TSM2314CX RFGCT-ND
别名:TSM2314CX RFGCT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.9A(Tc) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2314CX RFG
仓库库存编号:
TSM2314CX RFGDKR-ND
别名:TSM2314CX RFGDKR
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2308CX RFG
仓库库存编号:
TSM2308CX RFGTR-ND
别名:TSM2308CX RFGTR
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2308CX RFG
仓库库存编号:
TSM2308CX RFGCT-ND
别名:TSM2308CX RFGCT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2308CX RFG
仓库库存编号:
TSM2308CX RFGDKR-ND
别名:TSM2308CX RFGDKR
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 14A(Ta) 1.25W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J511NU,LF
仓库库存编号:
SSM6J511NULFCT-ND
别名:SSM6J511NULFCT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-26
型号:
DMP3056LDM-7
仓库库存编号:
DMP3056LDMDICT-ND
别名:DMP3056LDMDICT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 1.25W(Ta) 8-TSST
型号:
TT8U2TR
仓库库存编号:
TT8U2CT-ND
别名:TT8U2TRCT
TT8U2TRCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.3A(Ta) 1.25W(Ta) 6-TSOP
型号:
AO6415
仓库库存编号:
785-1205-1-ND
别名:785-1205-1
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.25W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J507NU,LF
仓库库存编号:
SSM6J507NULFCT-ND
别名:SSM6J507NULFCT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
SI2301-TP
仓库库存编号:
SI2301-TPMSCT-ND
别名:SI2301-TPMSCT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),
无铅
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