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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RQ6E055BNTCR
  仓库库存编号：RQ6E055BNTCRCT-ND
  别名：RQ6E055BNTCRCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Micro Commercial Co
  N-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Ta） 1.25W（Ta） 8-SOP
  
  型号：MCQ4438-TP
  仓库库存编号：MCQ4438-TPMSCT-ND
  别名：MCQ4438-TPMSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 1.25W（Ta） PowerPAK? 0806
  
  型号：SIUD402ED-T1-GE3
  仓库库存编号：SIUD402ED-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 5A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 1.25W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6424
  仓库库存编号：785-1563-1-ND
  别名：785-1563-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RRQ020P03TCR
  仓库库存编号：RRQ020P03TCR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-26
  
  型号：DMP2066LDMQ-7
  仓库库存编号：DMP2066LDMQ-7-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：MVSF2N02ELT1G
  仓库库存编号：MVSF2N02ELT1G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RTQ025P02TR
  仓库库存编号：RTQ025P02CT-ND
  别名：RTQ025P02CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RTQ030P02TR
  仓库库存编号：RTQ030P02CT-ND
  别名：RTQ030P02CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-26
  
  型号：DMP3098LDM-7
  仓库库存编号：DMP3098LDM-7-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：QS6U22TR
  仓库库存编号：QS6U22TR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT5
  
  型号：QS5U23TR
  仓库库存编号：QS5U23TR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT5
  
  型号：QS5U26TR
  仓库库存编号：QS5U26CT-ND
  别名：QS5U26CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RTQ035P02TR
  仓库库存编号：RTQ035P02CT-ND
  别名：RTQ035P02CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RSQ025P03TR
  仓库库存编号：RSQ025P03CT-ND
  别名：RSQ025P03CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT5
  
  型号：QS5U21TR
  仓库库存编号：QS5U21TR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT5
  
  型号：QS5U33TR
  仓库库存编号：QS5U33TRTR-ND
  别名：QS5U33TRTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 1.25W（Ta） 8-TSST
  
  型号：TT8U2TCR
  仓库库存编号：TT8U2TCR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RSQ030P03TR
  仓库库存编号：RSQ030P03CT-ND
  别名：RSQ030P03CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 3.5A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2305DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2305DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2305DS-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.25W（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2308DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2308DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2308DS-T1-E3CT
  SI2308DST1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.25W（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2309DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2309DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2309DS-T1-E3CT
  SI2309DST1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.8A（Ta） 1.25W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5463EDC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5463EDC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5463EDC-T1-E3CT
  SI5463EDCT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.6A（Ta） 1.25W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9424BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI9424BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI9424BDY-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.8A（Ta） 1.25W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5463EDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5463EDC-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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