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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 730mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMN3016LFDE-7
  仓库库存编号：DMN3016LFDE-7DICT-ND
  别名：DMN3016LFDE-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 730mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 7.6A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.6A（Ta） 730mW（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMP2023UFDF-7
  仓库库存编号：DMP2023UFDF-7DICT-ND
  别名：DMP2023UFDF-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 730mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 730mW（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMP2021UFDF-7
  仓库库存编号：DMP2021UFDF-7DICT-ND
  别名：DMP2021UFDF-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 730mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.15A（Ta） 730mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2328DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2328DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2328DS-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 730mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.15A（Ta） 730mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2328DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2328DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2328DS-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 730mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.5A（Ta） 730mW（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMP1022UFDF-7
  仓库库存编号：DMP1022UFDF-7DICT-ND
  别名：DMP1022UFDF-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 730mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.5A（Ta） 730mW（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMP1022UFDF-13
  仓库库存编号：DMP1022UFDF-13-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 730mW（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.34A（Ta） 730mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS3P03R2
  仓库库存编号：NTMS3P03R2OS-ND
  别名：NTMS3P03R2OS
  
  规格：功率耗散（最大值） 730mW（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.34A（Ta） 730mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMSD3P102R2
  仓库库存编号：NTMSD3P102R2OS-ND
  别名：NTMSD3P102R2OS
  
  规格：功率耗散（最大值） 730mW（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.34A（Ta） 730mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS3P03R2G
  仓库库存编号：NTMS3P03R2GOS-ND
  别名：NTMS3P03R2GOS
  
  规格：功率耗散（最大值） 730mW（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.34A（Ta） 730mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMSD3P102R2G
  仓库库存编号：NTMSD3P102R2GOS-ND
  别名：NTMSD3P102R2GOS
  
  规格：功率耗散（最大值） 730mW（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.34A（Ta） 730mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMSD3P303R2G
  仓库库存编号：NTMSD3P303R2GOS-ND
  别名：NTMSD3P303R2GOS
  
  规格：功率耗散（最大值） 730mW（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.34A（Ta） 730mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMSD3P102R2SG
  仓库库存编号：NTMSD3P102R2SG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 730mW（Ta）,
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