以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD13381F4T
  仓库库存编号：296-37779-1-ND
  别名：296-37779-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD17483F4T
  仓库库存编号：296-37781-1-ND
  别名：296-37781-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3443T1G
  仓库库存编号：NTGS3443T1GOSCT-ND
  别名：NTGS3443T1GOS
  NTGS3443T1GOS-ND
  NTGS3443T1GOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 5.5A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J133TU,LF
  仓库库存编号：SSM3J133TULFCT-ND
  别名：SSM3J133TULFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD23280F3T
  仓库库存编号：296-44150-1-ND
  别名：296-44150-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3K116TU,LF
  仓库库存编号：SSM3K116TULFCT-ND
  别名：SSM3K116TULFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 4A UFM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J120TU,LF
  仓库库存编号：SSM3J120TULFCT-ND
  别名：SSM3J120TU(T5LT)CT
  SSM3J120TU(T5LT)CT-ND
  SSM3J120TU(TE85L)CT
  SSM3J120TU(TE85L)CT-ND
  SSM3J120TULFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8802DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8802DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8802DB-T2-E1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3455T1G
  仓库库存编号：NTGS3455T1GOSCT-ND
  别名：NTGS3455T1GOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8808DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8808DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8808DB-T2-E1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR802N L6327
  仓库库存编号：BSR802N L6327INCT-ND
  别名：BSR802N L6327INCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J130TU,LF
  仓库库存编号：SSM3J130TULFCT-ND
  别名：SSM3J130TU(TE85L)CT
  SSM3J130TU(TE85L)CT-ND
  SSM3J130TULFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） ES6（1.6x1.6）
  
  型号：SSM6K202FE,LF
  仓库库存编号：SSM6K202FELFCT-ND
  别名：SSM6K202FE(TE85LFCT
  SSM6K202FE(TE85LFCT-ND
  SSM6K202FE,LFCT
  SSM6K202FE,LFCT-ND
  SSM6K202FELF
  SSM6K202FELFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD17381F4T
  仓库库存编号：296-37780-1-ND
  别名：296-37780-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN361BN
  仓库库存编号：FDN361BNCT-ND
  别名：FDN361BNCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN342P
  仓库库存编号：FDN342PCT-ND
  别名：FDN342PCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD25481F4T
  仓库库存编号：296-37750-1-ND
  别名：296-37750-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N CH 20V 4.5A SMINI3-G1-B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 500mW（Ta） S迷你型3-G1-B
  
  型号：MTM232230LBF
  仓库库存编号：MTM232230LBFCT-ND
  别名：MTM232230LBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） MPT3
  
  型号：RHP020N06T100
  仓库库存编号：RHP020N06T100CT-ND
  别名：RHP020N06T100CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：2N7002H6327XTSA2
  仓库库存编号：2N7002H6327XTSA2CT-ND
  别名：2N7002H6327XTSA2CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS123NH6433XTMA1
  仓库库存编号：BSS123NH6433XTMA1CT-ND
  别名：BSS123NH6433XTMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138WH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS138WH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS138WH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：SN7002WH6327XTSA1
  仓库库存编号：SN7002WH6327XTSA1CT-ND
  别名：SN7002WH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS123NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS123NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS123NH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS316NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS316NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS316N H6327CT
  BSS316N H6327CT-ND
  BSS316NH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索