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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.15A CST3C
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150mA（Ta） 500mW（Ta） CST3C
  
  型号：SSM3K72CTC,L3F
  仓库库存编号：SSM3K72CTCL3FCT-ND
  别名：SSM3K72CTCL3FCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Ta） 500mW（Ta） SC-75，SOT-416
  
  型号：SSM3K35AFS,LF
  仓库库存编号：SSM3K35AFSLFCT-ND
  别名：SSM3K35AFSLFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET NCH 20V 800MA CST3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 800mA（Ta） 500mW（Ta） CST3
  
  型号：SSM3K56CT,L3F
  仓库库存编号：SSM3K56CTL3FCT-ND
  别名：SSM3K56CTL3FCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 0.4A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 400mA（Ta） 500mW（Ta） X1-DFN1006-3
  
  型号：DMP32D5SFB-7B
  仓库库存编号：DMP32D5SFB-7BDICT-ND
  别名：DMP32D5SFB-7BDICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Texas Instruments
  -20V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.7A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD25480F3T
  仓库库存编号：296-44126-1-ND
  别名：296-44126-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Texas Instruments
  12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 3.6A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD13380F3T
  仓库库存编号：296-45086-1-ND
  别名：296-45086-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.4A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J132TU,LF
  仓库库存编号：SSM3J132TULFCT-ND
  别名：SSM3J132TULFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD17382F4T
  仓库库存编号：296-44148-1-ND
  别名：296-44148-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Texas Instruments
  12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 4.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD13385F5T
  仓库库存编号：296-45087-1-ND
  别名：296-45087-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.9A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD17585F5T
  仓库库存编号：296-45068-1-ND
  别名：296-45068-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CHANNEL 30V 2A 3SMD
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J117TU,LF
  仓库库存编号：SSM3J117TULFCT-ND
  别名：SSM3J117TULFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 620mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR315PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSR315PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSR315PH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR606NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSR606NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSR606NH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 2A ES6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） ES6（1.6x1.6）
  
  型号：SSM6J206FE(TE85L,F
  仓库库存编号：SSM6J206FE(TE85LFCT-ND
  别名：SSM6J206FE(TE85LFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.4A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Ta） 500mW（Ta） CST3
  
  型号：SSM3K72KCT,L3F
  仓库库存编号：SSM3K72KCTL3FCT-ND
  别名：SSM3K72KCTL3FCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V LGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD25483F4T
  仓库库存编号：296-37783-1-ND
  别名：296-37783-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：NDS332P
  仓库库存编号：NDS332PCT-ND
  别名：NDS332P-ND
  NDS332PCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：NDS356AP
  仓库库存编号：NDS356APCT-ND
  别名：NDS356APCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 500mW（Ta） ES6
  
  型号：SSM6K217FE,LF
  仓库库存编号：SSM6K217FELFCT-ND
  别名：SSM6K217FELFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400mA（Ta） 500mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
  
  型号：DMP32D4SFB-7B
  仓库库存编号：DMP32D4SFB-7BDICT-ND
  别名：DMP32D4SFB-7BDICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 700mA（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
  
  型号：DMP2012SN-7
  仓库库存编号：DMP2012SNDICT-ND
  别名：DMP2012SN7
  DMP2012SNDICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 500mW（Ta） SOT-363
  
  型号：DMN2075UDW-7
  仓库库存编号：DMN2075UDW-7DICT-ND
  别名：DMN2075UDW-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.35A（Ta） 500mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
  
  型号：DMN2250UFB-7B
  仓库库存编号：DMN2250UFB-7BDICT-ND
  别名：DMN2250UFB-7BDICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD18541F5
  仓库库存编号：296-44374-1-ND
  别名：296-44374-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN308P
  仓库库存编号：FDN308PFSCT-ND
  别名：FDN308PFSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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