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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 500mW（Ta） ES6（1.6x1.6）
  
  型号：SSM6K211FE,LF
  仓库库存编号：SSM6K211FELFCT-ND
  别名：SSM6K211FE(TE85LFCT
  SSM6K211FE(TE85LFCT-ND
  SSM6K211FELFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Texas Instruments
  12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.4A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD23285F5T
  仓库库存编号：296-44809-1-ND
  别名：296-44809-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8806DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8806DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8806DB-T2-E1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8817DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8817DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8817DB-T2-E1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN327N
  仓库库存编号：FDN327NCT-ND
  别名：FDN327NCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
  
  型号：DMN2114SN-7
  仓库库存编号：DMN2114SNDICT-ND
  别名：DMN2114SNDICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
  
  型号：DMN2112SN-7
  仓库库存编号：DMN2112SNDICT-ND
  别名：DMN2112SNDICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：NDS351N
  仓库库存编号：NDS351NCT-ND
  别名：NDS351NCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN336P
  仓库库存编号：FDN336PCT-ND
  别名：FDN336PCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 4A ES6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 500mW（Ta） ES6
  
  型号：SSM6J212FE,LF
  仓库库存编号：SSM6J212FELFCT-ND
  别名：SSM6J212FE(TE85LFCT
  SSM6J212FE(TE85LFCT-ND
  SSM6J212FELFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J114TU(T5L,T)
  仓库库存编号：SSM3J114TU(T5LT)CT-ND
  别名：SSM3J114TU(T5LT)CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：NDS355N
  仓库库存编号：NDS355NCT-ND
  别名：NDS355NCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） UFV
  
  型号：SSM5G10TU(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM5G10TU(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM5G10TU(TE85LF)CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
  
  型号：DMN100-7-F
  仓库库存编号：DMN100-FDICT-ND
  别名：DMN100-FDICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Ta） 500mW（Ta） ES6（1.6x1.6）
  
  型号：SSM6J207FE,LF
  仓库库存编号：SSM6J207FELFCT-ND
  别名：SSM6J207FE(TE85LFCT
  SSM6J207FE(TE85LFCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
  
  型号：BSD316SNL6327XT
  仓库库存编号：BSD316SNL6327XTCT-ND
  别名：BSD316SN L6327INCT
  BSD316SN L6327INCT-ND
  BSD316SNL6327
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR302NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSR302NL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSR302N L6327CT
  BSR302N L6327CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Ta） 500mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV50UPE,215
  仓库库存编号：1727-1377-1-ND
  别名：1727-1377-1
  568-10836-1
  568-10836-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS127H6327XTSA2
  仓库库存编号：BSS127H6327XTSA2CT-ND
  别名：BSS127H6327XTSA2CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS306NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS306NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS306N H6327CT
  BSS306N H6327CT-ND
  BSS306NH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 500mW（Ta） 9-DSBGA
  
  型号：CSD25202W15T
  仓库库存编号：296-37964-1-ND
  别名：296-37964-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD23381F4T
  仓库库存编号：296-37782-1-ND
  别名：296-37782-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 500mW（Ta） SOT-323
  
  型号：DMN3067LW-7
  仓库库存编号：DMN3067LW-7DICT-ND
  别名：DMN3067LW-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN335N
  仓库库存编号：FDN335NCT-ND
  别名：FDN335NCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN306P
  仓库库存编号：FDN306PCT-ND
  别名：FDN306P_F095CT
  FDN306P_F095CT-ND
  FDN306PCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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