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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
  
  型号：BSD314SPEH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSD314SPEH6327XTSA1-ND
  别名：SP000917658
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.85A SSOT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 850mA（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：NDS352P
  仓库库存编号：NDS352PCT-ND
  别名：NDS352PCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：NDS356P
  仓库库存编号：NDS356PCT-ND
  别名：NDS356PCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：NDS335N
  仓库库存编号：NDS335NCT-ND
  别名：NDS335NCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3446T1
  仓库库存编号：NTGS3446T1OSCT-ND
  别名：NTGS3446T1OSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3455T1
  仓库库存编号：NTGS3455T1OS-ND
  别名：NTGS3455T1OS
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3443T1
  仓库库存编号：NTGS3443T1OS-ND
  别名：NTGS3443T1OS
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.65A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3441T1
  仓库库存编号：NTGS3441T1OS-ND
  别名：NTGS3441T1OS
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.3A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN336P-NL
  仓库库存编号：FDN336P-NL-ND
  别名：376S0091
  Q2069479
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.2A SSOT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：NDS336P
  仓库库存编号：NDS336PCT-ND
  别名：NDS336PCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 12V 4A SMINI-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4A（Ta） 500mW（Ta） S迷你型3-G1
  
  型号：MTM231100L
  仓库库存编号：MTM231100LCT-ND
  别名：MTM231100LCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 20V 3A SMINI-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3A（Ta） 500mW（Ta） S迷你型3-G1
  
  型号：MTM231230L
  仓库库存编号：MTM231230LCT-ND
  别名：MTM231230LCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 20V 4.5A SMINI-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.5A（Ta） 500mW（Ta） S迷你型3-G1
  
  型号：MTM232230L
  仓库库存编号：MTM232230LCT-ND
  别名：MTM232230LCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.8A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN361AN
  仓库库存编号：FDN361AN-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.6A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN372S
  仓库库存编号：FDN372S-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 120mA（Ta） 500mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：BS107PSTOA
  仓库库存编号：BS107PSTOA-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 120mA（Ta） 500mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：BS107PSTOB
  仓库库存编号：BS107PSTOB-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 120mA（Ta） 500mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：BS107PSTZ
  仓库库存编号：BS107PSTZ-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Ta） 500mW（Ta） PW-MINI
  
  型号：2SK2963(TE12L,F)
  仓库库存编号：2SK2963FCT-ND
  别名：2SK2963FCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN359BN_F095
  仓库库存编号：FDN359BN_F095CT-ND
  别名：FDN359BN_F095CT
  FDN359BNCT
  FDN359BNCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1A（Ta） 500mW（Ta） PW-MINI
  
  型号：2SJ360(F)
  仓库库存编号：2SJ360(F)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1A（Ta） 500mW（Ta） PW-MINI
  
  型号：2SJ360(TE12L,F)
  仓库库存编号：2SJ360(TE12L,F)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.2A（Ta） 500mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
  
  型号：NTLUF4189NZTBG
  仓库库存编号：NTLUF4189NZTBG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.6A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J129TU(TE85L)
  仓库库存编号：SSM3J129TU(TE85L)CT-ND
  别名：SSM3J129TU(TE85L)CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.9A（Ta） 500mW（Ta） UFV
  
  型号：SSM5H12TU(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM5H12TU(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM5H12TU(TE85LF)CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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