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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 12V 4A UF6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4A（Ta） 500mW（Ta） UF6
  
  型号：SSM6J51TUTE85LF
  仓库库存编号：SSM6J51TUTE85LFCT-ND
  别名：SSM6J51TU(TE85LF)CT
  SSM6J51TU(TE85LF)CT-ND
  SSM6J51TUTE85LFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.8A（Ta） 500mW（Ta） ES6（1.6x1.6）
  
  型号：SSM6J53FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM6J53FE(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM6J53FE(TE85LF)CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.2A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3K106TU(TE85L)
  仓库库存编号：SSM3K106TU(TE85L)CT-ND
  别名：SSM3K106TU(TE85L)CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.8A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J108TU(TE85L)
  仓库库存编号：SSM3J108TU(TE85L)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN359BN
  仓库库存编号：FDN359BNFSCT-ND
  别名：FDN359BNFSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.1A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：PMN35EN,125
  仓库库存编号：568-10800-1-ND
  别名：568-10800-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS126 E6327
  仓库库存编号：BSS126 E6327-ND
  别名：BSS126E6327XT
  SP000055447
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS126 E6906
  仓库库存编号：BSS126 E6906-ND
  别名：BSS126E6906XT
  SP000055448
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS127 E6327
  仓库库存编号：BSS127 E6327-ND
  别名：BSS127 E6327
  BSS127 E6327-ND
  BSS127E6327XT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138W E6433
  仓库库存编号：BSS138W E6433-ND
  别名：BSS138WE6433
  SP000014284
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：SN7002W E6433
  仓库库存编号：SN7002W E6433-ND
  别名：SN7002WE6433
  SP000014286
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138W E6327
  仓库库存编号：BSS138WE6327INCT-ND
  别名：BSS138WE6327
  BSS138WE6327INCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：SN7002W E6327
  仓库库存编号：SN7002WE6327INCT-ND
  别名：SN7002WE6327INCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：2N7002 L6327
  仓库库存编号：2N7002 L6327-ND
  别名：2N7002L6327HTSA1
  SP000408440
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 620mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR315PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSR315PL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSR315P L6327
  BSR315P L6327-ND
  SP000265405
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 360mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR316PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSR316PL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSR316P L6327
  BSR316P L6327-ND
  SP000265407
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 140mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR92PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSR92PL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSR92P L6327
  BSR92P L6327-ND
  SP000265408
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS126L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS126L6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS126 L6327
  BSS126 L6327-ND
  SP000247303
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS126L6906HTSA1
  仓库库存编号：BSS126L6906HTSA1TR-ND
  别名：BSS126 L6906
  BSS126 L6906-ND
  SP000247304
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS127L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS127L6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS127 L6327
  BSS127 L6327-ND
  SP000247305
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138W L6327
  仓库库存编号：BSS138W L6327-ND
  别名：SP000245411
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138W L6433
  仓库库存编号：BSS138W L6433-ND
  别名：SP000245412
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS214NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS214NL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS214N L6327
  BSS214N L6327-ND
  SP000440878
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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  MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS214NW L6327
  仓库库存编号：BSS214NW L6327-ND
  别名：SP000440880
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS306NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS306NL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS306N L6327
  BSS306N L6327-ND
  SP000442400
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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