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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.34A（Ta） 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1050X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1050X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1050X-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1070X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1070X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1070X-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1069X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1069X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1069X-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8V 1.34A（Ta） 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1050X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1050X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1050X-T1-E3CT
  SI1050XT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1056X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1056X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1056X-T1-E3CT
  SI1056XT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1058X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1058X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1058X-T1-E3CT
  SI1058XT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1065X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1065X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1065X-T1-E3CT
  SI1065XT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1067X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1067X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1067X-T1-E3CT
  SI1067XT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1070X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1070X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1070X-T1-E3CT
  SI1070XT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1071X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1071X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1071X-T1-E3CT
  SI1071XT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1072X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1072X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1072X-T1-E3CT
  SI1072XT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1067X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1067X-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1051X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1051X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1051X-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1054X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1054X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1054X-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1073X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1073X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1073X-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1065X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1065X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1065X-T1-GE3CT
  SI1065XT1GE3
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1071X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1071X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1071X-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V SC-89-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1056X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1056X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1056X-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V SC89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1072X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1072X-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V SC89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1058X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1058X-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1051X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1051X-T1-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1054X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1054X-T1-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1069X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1069X-T1-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1073X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1073X-T1-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 236mW（Ta）,
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