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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 52W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN9R1-30YL,115
  仓库库存编号：1727-5435-1-ND
  别名：1727-5435-1
  568-6905-1
  568-6905-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA72DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA72DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA72DN-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 60A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 60A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7111EDN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7111EDN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7111EDN-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 60A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA24DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA24DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA24DN-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 20.2A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SIS888DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS888DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS888DN-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 52W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM600N25ECH C5G
  仓库库存编号：TSM600N25ECH C5G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 52W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FCD900N60Z
  仓库库存编号：FCD900N60ZCT-ND
  别名：FCD900N60ZCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 52W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：FCU900N60Z
  仓库库存编号：FCU900N60Z-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.9A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7115DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7115DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7115DN-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL13N65M2
  仓库库存编号：497-15476-1-ND
  别名：497-15476-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.350 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL13N60DM2
  仓库库存编号：497-16931-1-ND
  别名：497-16931-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 10A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL15N65M5
  仓库库存编号：497-13966-1-ND
  别名：497-13966-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 2.8A（Tc） 52W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP3P20
  仓库库存编号：FQP3P20-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 52W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD5T40P
  仓库库存编号：785-1695-1-ND
  别名：785-1695-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N65C
  仓库库存编号：FQPF7N65C-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 52W（Tc） DPAK
  
  型号：FCD1300N80Z
  仓库库存编号：FCD1300N80ZCT-ND
  别名：FCD1300N80ZCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL12N60M2
  仓库库存编号：497-16039-1-ND
  别名：497-16039-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 52W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF7N65CYDTU
  仓库库存编号：FQPF7N65CYDTU-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL16N60M2
  仓库库存编号：497-16003-1-ND
  别名：497-16003-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18.6A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.6A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR624DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR624DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR624DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 20.2A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR616DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR616DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR616DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7153DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7153DN-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS496EDNT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS496EDNT-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS626DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS626DN-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET W/SC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS778DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS778DN-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 52W（Tc）,
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