规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS447DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS447DN-T1-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 30V 40A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 52W(Tc) TO-263
型号:
SKI03087
仓库库存编号:
SKI03087CT-ND
别名:SKI03087CT
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS444DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS444DN-T1-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA66DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA66DN-T1-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100/20V NCH TRENCH MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 52W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
FDMC86183
仓库库存编号:
FDMC86183-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M010A060F
仓库库存编号:
1560-1206-5-ND
别名:1560-1206-1
1560-1206-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 48A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 48A(Ta) 52W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP6030L
仓库库存编号:
FDP6030L-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4.5A(Tc) 52W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP5N20L
仓库库存编号:
FQP5N20L-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4.5A(Tc) 52W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP5N20
仓库库存编号:
FQP5N20-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 3.6A(Tc) 52W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP4N25
仓库库存编号:
FQP4N25-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 2.3A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 250V 2.3A(Tc) 52W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2P25
仓库库存编号:
FQP2P25-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 48A(Ta) 52W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB6030L
仓库库存编号:
FDB6030L-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 48A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 48A(Ta) 52W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP6035AL
仓库库存编号:
FDP6035AL-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF7N65C_F105
仓库库存编号:
FQPF7N65C_F105-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 52W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2C60
仓库库存编号:
785-1662-1-ND
别名:785-1662-1
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 52W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M003A050CG
仓库库存编号:
GP1M003A050CG-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 52W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M003A050PG
仓库库存编号:
GP1M003A050PG-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8A(Tc) 52W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M008A025CG
仓库库存编号:
GP1M008A025CG-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Tc) 52W(Tc) TO-220
型号:
GP1M008A025HG
仓库库存编号:
GP1M008A025HG-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 52W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M009A020CG
仓库库存编号:
GP1M009A020CG-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 52W(Tc) TO-220
型号:
GP1M009A020HG
仓库库存编号:
GP1M009A020HG-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 52W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M009A020PG
仓库库存编号:
GP1M009A020PG-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 700V 9A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M009A070F
仓库库存编号:
GP1M009A070F-ND
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MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
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型号:
GP1M010A060FH
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MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
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GP1M013A050FH
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