规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(73)
分立半导体产品
(73)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (2)
Global Power Technologies Group (17)
Infineon Technologies (15)
Nexperia USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (15)
Sanken (1)
STMicroelectronics (5)
Taiwan Semiconductor Corporation (3)
Vishay Siliconix (14)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 52W(Tc) D-Pak
型号:
GP2M002A065CG
仓库库存编号:
GP2M002A065CG-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 52W(Tc) TO-220
型号:
GP2M002A065HG
仓库库存编号:
GP2M002A065HG-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 52W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M002A065PG
仓库库存编号:
GP2M002A065PG-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Tc) 52W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M008A025PG
仓库库存编号:
1560-1166-5-ND
别名:1560-1166-1
1560-1166-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9.5A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M010A065F
仓库库存编号:
1560-1207-5-ND
别名:1560-1207-1
1560-1207-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M013A050F
仓库库存编号:
1560-1212-5-ND
别名:1560-1212-1
1560-1212-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 52W(Tc) ITO-220
型号:
TSM13N50ACI C0G
仓库库存编号:
TSM13N50ACI C0G-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 52W(Tc) TO-220
型号:
TSM13N50ACZ C0G
仓库库存编号:
TSM13N50ACZ C0G-ND
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB11N03LA
仓库库存编号:
IPB11N03LA-ND
别名:IPB11N03LAT
SP000014987
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB11N03LA G
仓库库存编号:
IPB11N03LA G-ND
别名:IPB11N03LAGXT
SP000103306
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO263-3
型号:
IPB13N03LB
仓库库存编号:
IPB13N03LB-ND
别名:IPB13N03LBT
SP000064218
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD10N03LA
仓库库存编号:
IPD10N03LA-ND
别名:IPD10N03LAT
SP000014983
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD10N03LA G
仓库库存编号:
IPD10N03LA G-ND
别名:IPD10N03LAGXT
SP000017602
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF10N03LA
仓库库存编号:
IPF10N03LA-ND
别名:IPF10N03LAT
SP000014985
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF10N03LA G
仓库库存编号:
IPF10N03LA G-ND
别名:IPF10N03LAGXT
SP000017609
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI11N03LA
仓库库存编号:
IPI11N03LA-ND
别名:IPI11N03LAX
SP000014988
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP11N03LA
仓库库存编号:
IPP11N03LA-ND
别名:IPP11N03LAX
SP000014986
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP13N03LB G
仓库库存编号:
IPP13N03LB G-ND
别名:IPP13N03LBGX
SP000064224
SP000680872
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS10N03LA G
仓库库存编号:
IPS10N03LA G-ND
别名:IPS10N03LAGX
SP000015132
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU10N03LA
仓库库存编号:
IPU10N03LA-ND
别名:SP000014984
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU10N03LA G
仓库库存编号:
IPU10N03LA G-ND
别名:IPU10N03LAGX
SP000017597
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO263-3
型号:
IPB13N03LB G
仓库库存编号:
IPB13N03LBGINCT-ND
别名:IPB13N03LBG
IPB13N03LBGINCT
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12N03LB G
仓库库存编号:
IPD12N03LBGINCT-ND
别名:IPD12N03LBG
IPD12N03LBGINCT
规格:功率耗散(最大值) 52W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号