规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(29)
分立半导体产品
(29)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (16)
Diodes Incorporated (4)
Infineon Technologies (5)
Fairchild/ON Semiconductor (2)
Texas Instruments (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 20V 8A DFN 2x2B
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2408
仓库库存编号：
785-1394-1-ND
别名：785-1394-1
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 8A 6DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2405
仓库库存编号：
785-1392-1-ND
别名：785-1392-1
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 12V 8A DFN2X2B
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2403
仓库库存编号：
785-1490-1-ND
别名：785-1490-1
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 8V 8A 6DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2401
仓库库存编号：
785-1423-1-ND
别名：785-1423-1
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2409
仓库库存编号：
785-1395-1-ND
别名：785-1395-1
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 2.8W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL4315TRPBF
仓库库存编号：
IRFL4315TRPBFCT-ND
别名：IRFL4315TRPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2290
仓库库存编号：
785-1606-1-ND
别名：785-1606-1
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），29A（Tc） 2.8W（Ta） 8-PQFN（3x3）
型号：
IRFH3707TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH3707TR2PBFCT-ND
别名：IRFH3707TR2PBFCT
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2260
仓库库存编号：
785-1391-1-ND
别名：785-1391-1
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 60A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD17309Q3
仓库库存编号：
296-27250-1-ND
别名：296-27250-1
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
含铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Tc） 2.8W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP3007SFG-7
仓库库存编号：
DMP3007SFG-7DICT-ND
别名：DMP3007SFG-7DICT
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2240
仓库库存编号：
785-1390-1-ND
别名：785-1390-1
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2410
仓库库存编号：
785-1396-2-ND
别名：785-1396-2
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 8A 6LDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2420
仓库库存编号：
785-1492-1-ND
别名：785-1492-1
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 27A（Tc） 2.8W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMP3028LK3Q-13
仓库库存编号：
DMP3028LK3Q-13-ND
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Tc） 2.8W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP3007SFG-13
仓库库存编号：
DMP3007SFG-13-ND
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 8V 8A DFN 2X2B
详细描述：表面贴装 N 沟道 8V 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2400
仓库库存编号：
785-1422-1-ND
别名：785-1422-1
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 2.8W（Ta） TO-220AB
型号：
DMNH10H028SCT
仓库库存编号：
DMNH10H028SCTDI-5-ND
别名：DMNH10H028SCTDI-5
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 22A BGA
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta） 2.8W（Ta） 36-BGA（5.5x5）
型号：
FDZ5047N
仓库库存编号：
FDZ5047N-ND
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 14A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD25401Q3
仓库库存编号：
296-24260-1-ND
别名：296-24260-1
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.8A（Ta） 2.8W（Ta） SOT-223-4
型号：
SFM9014TF
仓库库存编号：
SFM9014TF-ND
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6.3A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2407
仓库库存编号：
785-1393-1-ND
别名：785-1393-1
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 2.8W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4490
仓库库存编号：
AO4490-ND
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 8A 6LDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2406
仓库库存编号：
785-1491-1-ND
别名：785-1491-1
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4A DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2707
仓库库存编号：
AON2707-ND
规格：功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）,
无铅
搜索
1
2
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
