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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 61A LL LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 48W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN7R0-30YLC,115
  仓库库存编号：1727-5909-1-ND
  别名：1727-5909-1
  568-7589-1
  568-7589-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120NTRPBF
  仓库库存编号：IRFR120NPBFCT-ND
  别名：*IRFR120NTRPBF
  IRFR120NPBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120NTRPBF
  仓库库存编号：IRLR120NPBFCT-ND
  别名：*IRLR120NTRPBF
  IRLR120NPBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 48W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD14N05SM9A
  仓库库存编号：RFD14N05SM9ACT-ND
  别名：RFD14N05SM9ACT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 48W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD14N05LSM9A
  仓库库存编号：RFD14N05LSM9ACT-ND
  别名：RFD14N05LSM9ACT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 58A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ858AEP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ858AEP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ858AEP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 48W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD14N05LSM
  仓库库存编号：RFD14N05LSM-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 48W（Tc） TO-251AA
  
  型号：RFD14N05L
  仓库库存编号：RFD14N05L-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF13N50CF
  仓库库存编号：FQPF13N50CF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLIZ44GPBF
  仓库库存编号：IRLIZ44GPBF-ND
  别名：*IRLIZ44GPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR4105ZTRPBFCT-ND
  别名：*IRFR4105ZTRPBF
  IRFR4105ZPBFCT
  IRFR4105ZPBFCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRLU120NPBF
  仓库库存编号：IRLU120NPBF-ND
  别名：*IRLU120NPBF
  SP001567330
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL520NPBF
  仓库库存编号：IRL520NPBF-ND
  别名：*IRL520NPBF
  SP001558080
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF520NPBF
  仓库库存编号：IRF520NPBF-ND
  别名：*IRF520NPBF
  SP001571310
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI540GPBF
  仓库库存编号：IRFI540GPBF-ND
  别名：*IRFI540GPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 11A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9540GPBF
  仓库库存编号：IRFI9540GPBF-ND
  别名：*IRFI9540GPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8259TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8259TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8259TRPBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 9.4A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU120NPBF
  仓库库存编号：IRFU120NPBF-ND
  别名：*IRFU120NPBF
  SP001557678
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU4105ZPBF
  仓库库存编号：IRFU4105ZPBF-ND
  别名：*IRFU4105ZPBF
  SP001552434
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
  详细描述：通孔 8A（Tc）（90°C） 48W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA08JT17-247
  仓库库存编号：1242-1135-ND
  别名：1242-1135
  GA08JT17247
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 64A LL LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 64A（Tc） 48W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN6R5-25YLC,115
  仓库库存编号：1727-5908-1-ND
  别名：1727-5908-1
  568-7588-1
  568-7588-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA52DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA52DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA52DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.26A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF8N60CFT
  仓库库存编号：FQPF8N60CFT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA96EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA96EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA96EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA86EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA86EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA86EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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