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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ860EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ860EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ860EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA00EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA00EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA00EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 48W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6262E
  仓库库存编号：800-3747-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Tc） 48W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL9N60M2
  仓库库存编号：497-14970-1-ND
  别名：497-14970-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8.5A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Tc） 48W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL12N65M5
  仓库库存编号：497-13964-1-ND
  别名：497-13964-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 48W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：IPZ40N04S55R4ATMA1
  仓库库存编号：IPZ40N04S55R4ATMA1CT-ND
  别名：IPZ40N04S55R4ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
  
  型号：MTP3055VL
  仓库库存编号：MTP3055VLFS-ND
  别名：MTP3055VLFS
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 55A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF55N06
  仓库库存编号：FDPF55N06-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF11N50CF
  仓库库存编号：FQPF11N50CF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIZ44GPBF
  仓库库存编号：IRFIZ44GPBF-ND
  别名：*IRFIZ44GPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 48W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6009KNX
  仓库库存编号：R6009KNX-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 5A 800V TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 48W（Tc） TO-220FP
  
  型号：CDM2205-800FP SL
  仓库库存编号：CDM2205-800FP SL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 48W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL12N65M2
  仓库库存编号：497-15054-1-ND
  别名：497-15054-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X6 H
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 48W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL10N65M2
  仓库库存编号：497-15052-1-ND
  别名：497-15052-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N60
  仓库库存编号：FQPF7N60-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 48W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL10N60M2
  仓库库存编号：497-14965-1-ND
  别名：497-14965-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 48W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R800CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R800CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R800CEATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V POWERPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA88EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA88EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA88EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 14.2A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.2A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR618DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR618DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR618DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJA52DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJA52DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJA52DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 18A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 48W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW20N65M5
  仓库库存编号：STFW20N65M5-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM10N80CZ C0G
  仓库库存编号：TSM10N80CZ C0G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 48W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM10N80CI C0G
  仓库库存编号：TSM10N80CI C0G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 48W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：IPZ40N04S5L4R8ATMA1
  仓库库存编号：IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT-ND
  别名：IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 44A（Ta） 48W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS4A102PZT4G
  仓库库存编号：NVATS4A102PZT4G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
• 无铅
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