规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 42A（Ta） 48W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB6690S
仓库库存编号：
FDB6690S-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50V 14A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
型号：
RFP14N05L
仓库库存编号：
RFP14N05L-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 9.8A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 150V 9.8A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF14N15
仓库库存编号：
FQPF14N15-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
MTP3055V
仓库库存编号：
MTP3055VFS-ND
别名：MTP3055VFS
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
型号：
FQPF8N60CYDTU
仓库库存编号：
FQPF8N60CYDTU-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF13N50C
仓库库存编号：
FQPF13N50C-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF13N50CSDTU
仓库库存编号：
FQPF13N50CSDTU-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 700V 3.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 700V 3.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF6N70
仓库库存编号：
FQPF6N70-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF13N50CT
仓库库存编号：
FQPF13N50CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF8N60CT
仓库库存编号：
FQPF8N60CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M016A060FH
仓库库存编号：
GP1M016A060FH-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
GP2M020A050F
仓库库存编号：
GP2M020A050F-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 900V 9A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M009A090FH
仓库库存编号：
1560-1173-5-ND
别名：1560-1173-1
1560-1173-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 800V 9.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M010A080FH
仓库库存编号：
1560-1176-5-ND
别名：1560-1176-1
1560-1176-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M016A060F
仓库库存编号：
1560-1186-5-ND
别名：1560-1186-1
1560-1186-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF520N
仓库库存编号：
IRF520N-ND
别名：*IRF520N
SP001571320
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 75V 40A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI2807
仓库库存编号：
IRFI2807-ND
别名：*IRFI2807
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120NTRR
仓库库存编号：
IRLR120NTRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4105Z
仓库库存编号：
IRFR4105Z-ND
别名：*IRFR4105Z
SP001571602
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU4105Z
仓库库存编号：
IRFU4105Z-ND
别名：*IRFU4105Z
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4105ZTR
仓库库存编号：
IRFR4105ZTR-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4105ZTRL
仓库库存编号：
IRFR4105ZTRL-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4105ZTRR
仓库库存编号：
IRFR4105ZTRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 60A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3704ZTRL
仓库库存编号：
IRFR3704ZTRL-ND
别名：*IRFR3704Z
IRFR3704Z
IRFR3704Z-ND
SP001556946
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 60A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 60A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3704ZPBF
仓库库存编号：
IRFU3704ZPBF-ND
别名：*IRFU3704ZPBF
SP001578388
规格：功率耗散（最大值） 48W（Tc）,
无铅
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