规格:功率耗散(最大值) 48W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 25A(Tc) 48W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB25N06S3-25
仓库库存编号:
IPB25N06S3-25-ND
别名:IPB25N06S325XT
SP000088000
规格:功率耗散(最大值) 48W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 25A(Tc) 48W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI25N06S3-25
仓库库存编号:
IPI25N06S3-25IN-ND
别名:IPI25N06S3-25-ND
IPI25N06S3-25IN
IPI25N06S325X
IPI25N06S325XK
SP000087997
规格:功率耗散(最大值) 48W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 25A(Tc) 48W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP25N06S325XK
仓库库存编号:
IPP25N06S325XK-ND
别名:IPP25N06S3-25
IPP25N06S3-25-ND
IPP25N06S3-25IN
IPP25N06S3-25IN-ND
IPP25N06S325X
SP000088001
规格:功率耗散(最大值) 48W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120NCPBF
仓库库存编号:
IRFR120NCPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 48W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120NCTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR120NCTRLPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 48W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 57A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 57A(Tc) 48W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU8259PBF
仓库库存编号:
IRLU8259PBF-ND
别名:SP001574068
规格:功率耗散(最大值) 48W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 60A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3704ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3704ZTRPBFCT-ND
别名:IRFR3704ZTRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 48W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 48W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R750E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R750E6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R750E6BTMA1CT
IPD60R750E6CT
IPD60R750E6CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 48W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 20A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR4105Z
仓库库存编号:
AUIRFR4105Z-ND
别名:SP001520528
规格:功率耗散(最大值) 48W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 48W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR120N
仓库库存编号:
AUIRLR120N-ND
别名:SP001521880
规格:功率耗散(最大值) 48W(Tc),
无铅
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