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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC093N04LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC093N04LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC093N04LS GCT
  BSC093N04LS GCT-ND
  BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），35W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC080N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC080N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC080N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC080N03LSGINCT
  BSC080N03LSGINCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），35W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC080N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC080N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC080N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC080N03MSGINCT
  BSC080N03MSGINCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），35W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.4A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120ATF
  仓库库存编号：IRLR120ATF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），35W（Tc）,
• 无铅
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