规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(85)
分立半导体产品
(85)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (7)
Central Semiconductor Corp (1)
Infineon Technologies (59)
Nexperia USA Inc. (1)
ON Semiconductor (2)
Rohm Semiconductor (1)
STMicroelectronics (6)
Vishay Siliconix (8)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5505TRPBF
仓库库存编号：
IRFR5505PBFCT-ND
别名：*IRFR5505TRPBF
IRFR5505PBFCT
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3105TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3105TRPBFCT-ND
别名：IRLR3105TRPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 57W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ520N15NS3 G
仓库库存编号：
BSZ520N15NS3 GCT-ND
别名：BSZ520N15NS3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 57W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD3N50
仓库库存编号：
785-1175-1-ND
别名：785-1175-1
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3303TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3303PBFCT-ND
别名：*IRFR3303TRPBF
IRFR3303PBFCT
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 57W（Tc） I-Pak
型号：
NDD02N60Z-1G
仓库库存编号：
NDD02N60Z-1GOS-ND
别名：NDD02N60Z-1G-ND
NDD02N60Z-1GOS
NDD02N60Z1G
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU5505PBF
仓库库存编号：
IRFU5505PBF-ND
别名：*IRFU5505PBF
SP001557786
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2.8A（Tc） 57W（Tc） TO-251-3
型号：
AOU3N50
仓库库存编号：
785-1176-5-ND
别名：785-1176-5
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 67A（Tc） 57W（Tc） LFPAK33
型号：
PSMN7R0-30MLC,115
仓库库存编号：
1727-7144-1-ND
别名：1727-7144-1
568-9577-1
568-9577-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
型号：
SISS10DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISS10DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISS10DN-T1-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 14.1A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISS98DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISS98DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISS98DN-T1-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 23A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISS71DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISS71DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISS71DN-T1-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA60DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA60DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA60DP-T1-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 57W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW38N65M5
仓库库存编号：
497-15006-5-ND
别名：497-15006-5
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 57W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW45N65M5
仓库库存编号：
497-15539-5-ND
别名：497-15539-5
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 57W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD2N60A
仓库库存编号：
785-1663-1-ND
别名：785-1663-1
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 57W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL18N65M2
仓库库存编号：
497-15477-1-ND
别名：497-15477-1
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V POWERFLAT5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 57W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL18N65M5
仓库库存编号：
497-13967-1-ND
别名：497-13967-1
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 57W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL18N60M2
仓库库存编号：
497-15146-1-ND
别名：497-15146-1
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
1700V .75 OHM 6A SIC FET
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.9A（Tc） 57W（Tc） TO-268
型号：
SCT2750NYTB
仓库库存编号：
SCT2750NYTBCT-ND
别名：SCT2750NYTBCT
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R500CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD50R500CEBTMA1CT-ND
别名：IPD50R500CEIN
IPD50R500CEIN-ND
IPD50R500CEINCT
IPD50R500CEINCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC520N15NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC520N15NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC520N15NS3 GCT
BSC520N15NS3 GCT-ND
BSC520N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 8A 800V TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 57W（Tc） TO-220FP
型号：
CDM2208-800FP SL
仓库库存编号：
CDM2208-800FP SL-ND
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO-252
型号：
IPD50R500CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD50R500CEAUMA1CT-ND
别名：IPD50R500CEAUMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N10S3L34ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND
别名：IPD30N10S3L-34CT
IPD30N10S3L-34CT-ND
IPD30N10S3L34ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 57W（Tc）,
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
