规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),36W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC097N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC097N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC097N06NSATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),36W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18A PT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS0312AS
仓库库存编号:
FDMS0312ASCT-ND
别名:FDMS0312ASCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),36W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) Power56
型号:
FDMS8027S
仓库库存编号:
FDMS8027SCT-ND
别名:FDMS8027SCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),36W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),88A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0503NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0503NSIATMA1-ND
别名:SP001288144
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),36W(Tc),
无铅
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