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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 270mA（Ta） 330mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
  
  型号：NTS4001NT1G
  仓库库存编号：NTS4001NT1GOSCT-ND
  别名：NTS4001NT1GOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：VN10LFTA
  仓库库存编号：VN10LFCT-ND
  别名：VN10LF
  VN10LFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZVN3310FTA
  仓库库存编号：ZVN3310FCT-ND
  别名：BST82
  ZVN3310F
  ZVN3310FCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BS170FTA
  仓库库存编号：BS170FCT-ND
  别名：BS170F
  BS170FCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZVP3306FTA
  仓库库存编号：ZVP3306FCT-ND
  别名：ZVP3306F
  ZVP3306FCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BS250FTA
  仓库库存编号：BS250FCT-ND
  别名：BS250F
  BS250FCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 75mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZVP3310FTA
  仓库库存编号：ZVP3310FCT-ND
  别名：ZVP3310F
  ZVP3310FCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 330mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1077X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1077X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1077X-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZVN3306FTA
  仓库库存编号：ZVN3306FCT-ND
  别名：ZVN3306F
  ZVN3306FCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZVN3320FTA
  仓库库存编号：ZVN3320FCT-ND
  别名：ZVN3320F
  ZVN3320FCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 0.27A SC70
  详细描述：表面贴装 N 沟道 270mA（Ta） 330mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
  
  型号：NVS4001NT1G
  仓库库存编号：NVS4001NT1G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 330mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1079X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1079X-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：2N7002TA
  仓库库存编号：2N7002CT-ND
  别名：2N7002CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 270mA（Ta） 330mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
  
  型号：NTS4001NT1
  仓库库存编号：NTS4001NT1OS-ND
  别名：NTS4001NT1OS
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 含铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Ta） 330mW（Ta） VS-8 (2.9x1.5)
  
  型号：TPCF8B01(TE85L,F,M
  仓库库存编号：TPCF8B01(TE85LFMCT-ND
  别名：TPCF8B01(TE85LFMCT
  TPCF8B01FCT
  TPCF8B01FCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：2N7002TC
  仓库库存编号：2N7002TC-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.15A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 150mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZVN3306FTC
  仓库库存编号：ZVN3306FTC-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 330mW（Ta）,
• 无铅
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