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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS3A90PZTAG
仓库库存编号：
NTLUS3A90PZTAGOSCT-ND
别名：NTLUS3A90PZTAGOSCT
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 8V 2.5A 4WLCSP
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 600mW（Ta） 4-AphaDFN（0.97x0.97）
型号：
AOC2421
仓库库存编号：
AOC2421-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）
型号：
RTQ020N05TR
仓库库存编号：
RTQ020N05TR-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
Texas Instruments
8V P-CHANNEL FEMTOFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.4A（Ta） 600mW（Ta）
型号：
CSD22205L
仓库库存编号：
CSD22205L-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS3A90PZTBG
仓库库存编号：
NTLUS3A90PZTBG-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 600mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3130NT1G
仓库库存编号：
NTGS3130NT1GOSTR-ND
别名：NTGS3130NT1G-ND
NTGS3130NT1GOSTR
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.2A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS3A39PZTAG
仓库库存编号：
NTLUS3A39PZTAG-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS3A39PZTBG
仓库库存编号：
NTLUS3A39PZTBG-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 600mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NVGS3130NT1G
仓库库存编号：
NVGS3130NT1G-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.1A（Ta） 600mW（Ta） Micro8?
型号：
NTTS2P03R2
仓库库存编号：
NTTS2P03R2OS-ND
别名：NTTS2P03R2OS
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.3A（Ta） 600mW（Ta） SOT-23-3
型号：
DMN2170U-7
仓库库存编号：
DMN2170UDICT-ND
别名：DMN2170U7
DMN2170UDICT
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.48A 8MICRO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.1A（Ta） 600mW（Ta） Micro8?
型号：
NTTS2P03R2G
仓库库存编号：
NTTS2P03R2GOSCT-ND
别名：NTTS2P03R2GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS4195PZTAG
仓库库存编号：
NTLUS4195PZTAG-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS3192PZTAG
仓库库存编号：
NTLUS3192PZTAG-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS3192PZTBG
仓库库存编号：
NTLUS3192PZTBG-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS4195PZTBG
仓库库存编号：
NTLUS4195PZTBG-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 8V 3.5A 4WLCSP
详细描述：表面贴装 N 沟道 8V 3.5A（Ta） 600mW（Ta） 4-AphaDFN（0.97x0.97）
型号：
AOC2422
仓库库存编号：
AOC2422-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 2A 4WLCSP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2A（Ta） 600mW（Ta） 4-AphaDFN（0.97x0.97）
型号：
AOC2423
仓库库存编号：
AOC2423-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4.5A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）
型号：
RAQ045P01TCR
仓库库存编号：
RAQ045P01TCRCT-ND
别名：RAQ045P01TCRCT
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.4A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS3A39PZCTAG
仓库库存编号：
NTLUS3A39PZCTAG-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.4A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS3A39PZCTBG
仓库库存编号：
NTLUS3A39PZCTBG-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.6A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS3A90PZCTAG
仓库库存编号：
NTLUS3A90PZCTAG-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.6A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS3A90PZCTBG
仓库库存编号：
NTLUS3A90PZCTBG-ND
规格：功率耗散（最大值） 600mW（Ta）,
无铅
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