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• Rohm Semiconductor
  PCH -20V -5.5A MIDDLE POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.5A（Ta） 1W（Tc） TUMT6
  
  型号：RF6C055BCTCR
  仓库库存编号：RF6C055BCTCRCT-ND
  别名：RF6C055BCTCRCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  PCH -20V -3.5A MIDDLE POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1W（Tc） TSMT3
  
  型号：RQ5C035BCTCL
  仓库库存编号：RQ5C035BCTCLCT-ND
  别名：RQ5C035BCTCLCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 4.5A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 1W（Tc） TUMT6
  
  型号：RF6E045AJTCR
  仓库库存编号：RF6E045AJTCRCT-ND
  别名：RF6E045AJTCRCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0109N3-G
  仓库库存编号：VN0109N3-G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 1W（Tc） TSMT3
  
  型号：RQ5E070BNTCL
  仓库库存编号：RQ5E070BNTCLCT-ND
  别名：RQ5E070BNTCLCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  PCH -20V -6A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Tc） TSMT3
  
  型号：RQ5C060BCTCL
  仓库库存编号：RQ5C060BCTCLCT-ND
  别名：RQ5C060BCTCLCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 1W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TP89R103NL,LQ
  仓库库存编号：TP89R103NLLQCT-ND
  别名：TP89R103NLLQCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 19A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 1W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TP86R203NL,LQ
  仓库库存编号：TP86R203NLLQCT-ND
  别名：TP86R203NLLQCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0106N3-G
  仓库库存编号：VN0106N3-G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0606N3-G
  仓库库存编号：TN0606N3-G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0106N3-G
  仓库库存编号：VP0106N3-G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1.2A（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN3205N3-G
  仓库库存编号：VN3205N3-G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92
  
  型号：LP0701N3-G
  仓库库存编号：LP0701N3-G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0109N3-G
  仓库库存编号：VP0109N3-G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0110N3-G
  仓库库存编号：TN0110N3-G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0808L-G
  仓库库存编号：VN0808L-G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0550N3-G
  仓库库存编号：VN0550N3-G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 160mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN4012L-G
  仓库库存编号：VN4012L-G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 54mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0550N3-G
  仓库库存编号：VP0550N3-G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  PCH -30V -2.5A MIDDLE POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1W（Tc） TSMT3
  
  型号：RQ5E025ATTCL
  仓库库存编号：RQ5E025ATTCLCT-ND
  别名：RQ5E025ATTCLCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN10KN3-G-P002
  仓库库存编号：VN10KN3-G-P002-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN10KN3-G-P003
  仓库库存编号：VN10KN3-G-P003-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN10KN3-G-P013
  仓库库存编号：VN10KN3-G-P013-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN10KN3-G-P014
  仓库库存编号：VN10KN3-G-P014-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0104N3-G-P013
  仓库库存编号：VN0104N3-G-P013-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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