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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 350mA（Tc） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：2N7000
  仓库库存编号：497-3110-ND
  别名：497-3110
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 1.7A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD010
  仓库库存编号：IRFD010-ND
  别名：*IRFD010
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 1.7A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD010PBF
  仓库库存编号：IRFD010PBF-ND
  别名：*IRFD010PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 800mA（Tc） 1W（Tc） 4-HVMDIP
  
  型号：IRFD113
  仓库库存编号：IRFD113-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
• 含铅
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