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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13.5A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ086P03NS3E G
  仓库库存编号：BSZ086P03NS3E GCT-ND
  别名：BSZ086P03NS3E GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13.5A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ086P03NS3 G
  仓库库存编号：BSZ086P03NS3 GCT-ND
  别名：BSZ086P03NS3 GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ040N04LSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ040N04LSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ040N04LSGINCT
  BSZ040N04LSGINCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），20A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ067N06LS3 G
  仓库库存编号：BSZ067N06LS3GINCT-ND
  别名：BSZ067N06LS3GINCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ018NE2LS
  仓库库存编号：BSZ018NE2LSCT-ND
  别名：BSZ018NE2LSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ035N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ035N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ035N03LSGATMA1CT
  BSZ035N03LSGINCT
  BSZ035N03LSGINCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ025N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSZ025N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSZ025N04LSATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ035N03MS G
  仓库库存编号：BSZ035N03MSGINCT-ND
  别名：BSZ035N03MSGINCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ018NE2LSI
  仓库库存编号：BSZ018NE2LSICT-ND
  别名：BSZ018NE2LSICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ042N04NS G
  仓库库存编号：BSZ042N04NSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ042N04NSGINCT
  BSZ042N04NSGINCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ0901NSI
  仓库库存编号：BSZ0901NSICT-ND
  别名：BSZ0901NSICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta）. 40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ019N03LS
  仓库库存编号：BSZ019N03LSCT-ND
  别名：BSZ019N03LSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ097N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSZ097N10NS5ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ042N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ042N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSZ042N06NS
  BSZ042N06NS-ND
  BSZ042N06NSATMA1CT
  BSZ042N06NSCT
  BSZ042N06NSCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ076N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ076N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ076N06NS3GINCT
  BSZ076N06NS3GINCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 25V 32A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 32A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ013NE2LS5IATMA1
  仓库库存编号：BSZ013NE2LS5IATMA1-ND
  别名：SP001288148
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 31A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ014NE2LS5IFATMA1
  仓库库存编号：BSZ014NE2LS5IFATMA1-ND
  别名：SP001258924
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ0500NSIATMA1
  仓库库存编号：BSZ0500NSIATMA1-ND
  别名：SP001288150
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSZ023N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSZ023N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSZ023N04LS-ND
  BSZ023N04LSCT
  BSZ023N04LSCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 29A MX
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 29A（Ta），168A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6893MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6893MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF6893MTR1PBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）,
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