规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak
型号:
FQD6N40CTM
仓库库存编号:
FQD6N40CTMCT-ND
别名:FQD6N40CTMCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0902NSI
仓库库存编号:
BSC0902NSICT-ND
别名:BSC0902NSICT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC024NE2LS
仓库库存编号:
BSC024NE2LSCT-ND
别名:BSC024NE2LSCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 19A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),28A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) Power56
型号:
FDMS7672
仓库库存编号:
FDMS7672CT-ND
别名:FDMS7672CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 24A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),60A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS8570S
仓库库存编号:
FDMS8570SCT-ND
别名:FDMS8570SCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) I-Pak
型号:
FQU5N50CTU_WS
仓库库存编号:
FQU5N50CTU_WS-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),40A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0902NSI
仓库库存编号:
BSZ0902NSICT-ND
别名:BSZ0902NSICT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),28A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) Power56
型号:
FDMS7676
仓库库存编号:
FDMS7676CT-ND
别名:FDMS7676CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0902NS
仓库库存编号:
BSC0902NSCT-ND
别名:BSC0902NSCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta),26A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86105
仓库库存编号:
FDMS86105CT-ND
别名:FDMS86105CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7.5A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR230ATF
仓库库存编号:
IRLR230ATF-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7.5A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR230ATM
仓库库存编号:
IRLR230ATM-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 4.5A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) I-Pak
型号:
FQU6N40CTU
仓库库存编号:
FQU6N40CTU-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 4.5A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak
型号:
FQD6N40CTF
仓库库存编号:
FQD6N40CTF-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N50CTF
仓库库存编号:
FQD5N50CTF-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) I-Pak
型号:
FQU5N50CTU
仓库库存编号:
FQU5N50CTU-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N50CTM
仓库库存编号:
FQD5N50CTM-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 4.5A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) I-Pak
型号:
FQU6N40CTU_NBEA001
仓库库存编号:
FQU6N40CTU_NBEA001-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N50CTM_F080
仓库库存编号:
FQD5N50CTM_F080-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),48W(Tc),
无铅
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