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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14.9A（Tc） 6.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：PMK35EP,518
  仓库库存编号：1727-7204-1-ND
  别名：1727-7204-1
  568-9695-1
  568-9695-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 6.9W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14.9A（Tc） 6.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：PMK30EP,518
  仓库库存编号：1727-7203-1-ND
  别名：1727-7203-1
  568-9694-1
  568-9694-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 6.9W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 6.9W（Tc） SOT-223
  
  型号：PHT4NQ10T,135
  仓库库存编号：1727-5337-1-ND
  别名：1727-5337-1
  568-6777-1
  568-6777-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 6.9W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Tc） 6.9W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R600P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN70R600P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN70R600P7SATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 6.9W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.4A（Tc） 6.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：PHK31NQ03LT,518
  仓库库存编号：PHK31NQ03LT,518-ND
  别名：934058879518
  PHK31NQ03LT /T3
  PHK31NQ03LT /T3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 6.9W（Tc）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 3.5A SC73
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 6.9W（Tc） SOT-223
  
  型号：PHT4NQ10LT,135
  仓库库存编号：568-6758-1-ND
  别名：568-6758-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 6.9W（Tc）,
• 无铅
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