品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5410TRPBF
仓库库存编号:
IRFR5410PBFCT-ND
别名:*IRFR5410TRPBF
IRFR5410PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 13A(Tc) 66W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5410PBF
仓库库存编号:
IRFU5410PBF-ND
别名:*IRFU5410PBF
SP001557796
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 66W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ240N12NS3 G
仓库库存编号:
BSZ240N12NS3 GCT-ND
别名:BSZ240N12NS3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R520C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R520C6ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR5410TRL
仓库库存编号:
AUIRFR5410TRLCT-ND
别名:AUIRFR5410TRLCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA50R520CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA50R520CPXKSA1-ND
别名:IPA50R520CP
IPA50R520CP-ND
SP000236076
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 550V 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R520CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R520CPHKSA1-ND
别名:IPP50R520CP
IPP50R520CP-ND
SP000236068
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R520CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R520CPXKSA1-ND
别名:SP000680944
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R520C6
仓库库存编号:
IPP60R520C6-ND
别名:IPP60R520C6XKSA1
SP000645068
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R520E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R520E6XKSA1-ND
别名:IPP60R520E6
IPP60R520E6-ND
SP000797294
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 13A(Tc) 66W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5410
仓库库存编号:
IRFU5410-ND
别名:*IRFU5410
SP001576322
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5410TR
仓库库存编号:
IRFR5410TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5410TRL
仓库库存编号:
IRFR5410TRL-ND
别名:SP001567628
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5410TRR
仓库库存编号:
IRFR5410TRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R520CP
仓库库存编号:
IPD50R520CP-ND
别名:SP000236063
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R520CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R520CPAKSA1-ND
别名:IPI60R520CP
IPI60R520CP-ND
SP000405872
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R520CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R520CPXKSA1-ND
别名:IPP60R520CP
IPP60R520CP-ND
SP000405860
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 550V 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS50R520CP
仓库库存编号:
IPS50R520CP-ND
别名:SP000236067
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 37A(Tc) 66W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC240N12NS3 G
仓库库存编号:
BSC240N12NS3 GCT-ND
别名:BSC240N12NS3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R520CPATMA1
仓库库存编号:
IPB60R520CPATMA1CT-ND
别名:IPB60R520CPCT
IPB60R520CPCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R520C6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R520C6BTMA1CT
IPD60R520C6CT
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品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
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MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520CPBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R520CPBTMA1CT-ND
别名:IPD60R520CPCT
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IPD60R520CPATMA1
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IPD60R520CPATMA1-ND
别名:SP000680640
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 66W(Tc),
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