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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 195W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y6R0-60E,115
  仓库库存编号：1727-1504-1-ND
  别名：1727-1504-1
  568-10984-1
  568-10984-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 195W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y6R0-60EX
  仓库库存编号：1727-1116-1-ND
  别名：1727-1116-1
  568-10271-1
  568-10271-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V LFPAK56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 195W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN5R2-60YLX
  仓库库存编号：1727-2595-1-ND
  别名：1727-2595-1
  568-13046-1
  568-13046-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 14A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 195W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP400N80Z
  仓库库存编号：FCP400N80Z-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 89A（Tc） 195W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y9R9-80EX
  仓库库存编号：1727-1489-1-ND
  别名：1727-1489-1
  568-10969-1
  568-10969-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 195W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRLS3813TRLPBF
  仓库库存编号：IRLS3813TRLPBFCT-ND
  别名：IRLS3813TRLPBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 195W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI13N50CTU
  仓库库存编号：FQI13N50CTU-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 195W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH1N300P3HV
  仓库库存编号：IXTH1N300P3HV-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
• 不受无铅要求限制
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• IXYS
  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 195W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT1N300P3HV
  仓库库存编号：IXTT1N300P3HV-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
• 不受无铅要求限制
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V LFPAK56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 69A（Tc） 195W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN015-100YLX
  仓库库存编号：1727-2591-1-ND
  别名：1727-2591-1
  568-13042-1
  568-13042-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 68A（Tc） 195W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y15-100EX
  仓库库存编号：1727-1484-1-ND
  别名：1727-1484-1
  568-10964-1
  568-10964-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 69A（Tc） 195W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y15-100E,115
  仓库库存编号：1727-1492-1-ND
  别名：1727-1492-1
  568-10972-1
  568-10972-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 195W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP13N50C
  仓库库存编号：FQP13N50C-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 4A（Tc） 195W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT5N100
  仓库库存编号：AOT5N100-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 195W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK5N100L
  仓库库存编号：785-1425-5-ND
  别名：785-1425-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 195W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK5N100
  仓库库存编号：AOK5N100-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 160A（Tc） 195W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLS3813PBF
  仓库库存编号：IRLS3813PBF-ND
  别名：SP001576946
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 21.3A（Tc） 195W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R165CFDAUMA1
  仓库库存编号：IPL65R165CFDAUMA1-ND
  别名：SP000949254
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 13A（Tc） 195W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB13N50CTM
  仓库库存编号：FQB13N50CTM-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 195W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP11N50CF
  仓库库存编号：FQP11N50CF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 195W（Tc）,
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