规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 94W(Tc) DPAK
型号:
BUK7225-55A,118
仓库库存编号:
1727-7154-1-ND
别名:1727-7154-1
568-9637-1
568-9637-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD031N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD021N03LGINCT
IPD021N03LGINCT-ND
IPD031N03LGINCT
IPD031N03LGINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU039N03LGXK
仓库库存编号:
IPU039N03LGXK-ND
别名:IPU039N03L G
IPU039N03LGIN
IPU039N03LGIN-ND
SP000256162
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB034N03L G
仓库库存编号:
IPB034N03LGINCT-ND
别名:IPB034N03LGINCT
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB123N10N3 G
仓库库存编号:
IPB123N10N3 GCT-ND
别名:IPB123N10N3 GCT
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N90CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N90CP ROGTR-ND
别名:TSM3N90CP ROGTR
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N90CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N90CP ROGCT-ND
别名:TSM3N90CP ROGCT
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N90CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N90CP ROGDKR-ND
别名:TSM3N90CP ROGDKR
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 94W(Tc) TO-220
型号:
TSM3N80CZ C0G
仓库库存编号:
TSM3N80CZ C0G-ND
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 94W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM3N90CH C5G
仓库库存编号:
TSM3N90CH C5G-ND
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 94W(Tc) ITO-220
型号:
TSM3N90CI C0G
仓库库存编号:
TSM3N90CI C0G-ND
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 94W(Tc) TO-220
型号:
TSM3N90CZ C0G
仓库库存编号:
TSM3N90CZ C0G-ND
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 53A(Tc) 94W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y15-60EX
仓库库存编号:
1727-1107-1-ND
别名:1727-1107-1
568-10262-1
568-10262-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD60N10S4L12ATMA1
仓库库存编号:
IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND
别名:IPD60N10S4L12ATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 38A(Tc) 94W(Tc) Power56
型号:
FDMS36101L_F085
仓库库存编号:
FDMS36101L_F085CT-ND
别名:FDMS36101L_F085CT
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 8.2A(Tc) 94W(Tc) DPAK
型号:
NDD60N550U1T4G
仓库库存编号:
NDD60N550U1T4G-ND
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.2A(Tc) 94W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
NDD60N550U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N550U1-1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.2A(Tc) 94W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
NDD60N550U1-35G
仓库库存编号:
NDD60N550U1-35G-ND
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.8A(Tc) 94W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP11N60N
仓库库存编号:
FCP11N60N-ND
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
FCP11N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
详细描述:通孔 N 沟道 10.8A(Tc) 94W(Tc) TO-220F
型号:
FCP11N60N_F102
仓库库存编号:
FCP11N60N_F102-ND
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 8.7A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R950CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R950CEAKMA1-ND
别名:SP001605396
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD60N10S412ATMA1
仓库库存编号:
IPD60N10S412ATMA1-ND
别名:SP001102936
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD031N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236957
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3103STRLPBF-ND
别名:SP001552534
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S403AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S403AKSA1-ND
别名:IPP80N04S4-03
IPP80N04S4-03-ND
SP000671756
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