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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M003A080H
  仓库库存编号：GP1M003A080H-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A080PH
  仓库库存编号：GP1M003A080PH-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 94W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M018A020CG
  仓库库存编号：GP1M018A020CG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：GP1M003A080CH
  仓库库存编号：1560-1155-1-ND
  别名：1560-1155-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 2.5A（Tc） 94W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M003A090C
  仓库库存编号：1560-1157-1-ND
  别名：1560-1157-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.5A（Tc） 94W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A090PH
  仓库库存编号：1560-1158-5-ND
  别名：1560-1158-1
  1560-1158-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 94W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M018A020HG
  仓库库存编号：1560-1189-5-ND
  别名：1560-1189-1
  1560-1189-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103S
  仓库库存编号：IRL3103S-ND
  别名：*IRL3103S
  SP001550308
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL3103L
  仓库库存编号：IRL3103L-ND
  别名：*IRL3103L
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103STRL
  仓库库存编号：IRL3103STRL-ND
  别名：SP001573698
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103STRR
  仓库库存编号：IRL3103STRR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP05N03LA
  仓库库存编号：IPP05N03LAIN-ND
  别名：IPP05N03LAIN
  IPP05N03LAX
  IPP05N03LAXTIN
  IPP05N03LAXTIN-ND
  SP000014020
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LA
  仓库库存编号：IPB05N03LAINCT-ND
  别名：IPB05N03LAINCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD05N03LA G
  仓库库存编号：IPD05N03LAGINTR-ND
  别名：IPD05N03LA
  IPD05N03LAG
  IPD05N03LAGINTR
  IPD05N03LAGXT
  IPD05N03LAGXT-ND
  IPD05N03LAINTR
  IPD05N03LAINTR-ND
  SP000017599
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 94W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：IPF05N03LA G
  仓库库存编号：IPF05N03LAGINCT-ND
  别名：IPF05N03LAG
  IPF05N03LAGINCT
  IPF05N03LAGXTINCT
  IPF05N03LAGXTINCT-ND
  IPF05N03LAINCT
  IPF05N03LAINCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103SPBF
  仓库库存编号：IRL3103SPBF-ND
  别名：*IRL3103SPBF
  SP001578512
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL3103LPBF
  仓库库存编号：IRL3103LPBF-ND
  别名：*IRL3103LPBF
  SP001573736
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LAT
  仓库库存编号：IPB05N03LAXTINCT-ND
  别名：IPB05N03LAXTINCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LA G
  仓库库存编号：IPB05N03LA G-ND
  别名：IPB05N03LAGXT
  SP000068872
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LB
  仓库库存编号：IPB05N03LB-ND
  别名：IPB05N03LBT
  SP000065206
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD05N03LB G
  仓库库存编号：IPD05N03LB G-ND
  别名：IPD05N03LBGXT
  SP000016410
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI05N03LA
  仓库库存编号：IPI05N03LA-ND
  别名：IPI05N03LAX
  SP000014021
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP05N03LB G
  仓库库存编号：IPP05N03LBGIN-ND
  别名：IPP05N03LB G-ND
  IPP05N03LBGIN
  IPP05N03LBGX
  IPP05N03LBGXK
  SP000065247
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP07N03LB G
  仓库库存编号：IPP07N03LB G-ND
  别名：IPP07N03LBGX
  SP000065252
  SP000680834
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS05N03LA G
  仓库库存编号：IPS05N03LA G-ND
  别名：IPS05N03LAGX
  SP000015129
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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