规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS05N03LB G
仓库库存编号:
IPS05N03LB G-ND
别名:IPS05N03LBGX
SP000220140
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSH4N03LA G
仓库库存编号:
IPSH4N03LA G-ND
别名:IPSH4N03LAGX
SP000016331
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU05N03LA
仓库库存编号:
IPU05N03LA-ND
别名:SP000014903
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU05N03LA G
仓库库存编号:
IPU05N03LA G-ND
别名:IPU05N03LAGX
SP000017595
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU06N03LB G
仓库库存编号:
IPU06N03LB G-ND
别名:IPU06N03LBGX
SP000209113
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LB G
仓库库存编号:
IPB05N03LBGINCT-ND
别名:IPB05N03LBG
IPB05N03LBGINCT
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRRPBF
仓库库存编号:
IRL3103STRRPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS031N03L G
仓库库存编号:
IPS031N03LGIN-ND
别名:IPS031N03LGIN
IPS031N03LGXK
SP000256160
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N03S4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N03S4L04AKSA1-ND
别名:IPI80N03S4L-04
IPI80N03S4L-04-ND
SP000274983
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N03S4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N03S4L04AKSA1-ND
别名:IPP80N03S4L-04
IPP80N03S4L-04-ND
SP000274981
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI126N10N3 G
仓库库存编号:
IPI126N10N3 G-ND
别名:IPI126N10N3G
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB039N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB039N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB039N04L GCT
IPB039N04L GCT-ND
IPB039N04LG
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB041N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB041N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB041N04N GCT
IPB041N04N GCT-ND
IPB041N04NG
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD038N04NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD038N04NGBTMA1CT-ND
别名:IPD038N04N GCT
IPD038N04N GCT-ND
IPD038N04NG
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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IPD122N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD122N10N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD122N10N3 GCT
IPD122N10N3 GCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 40V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP039N04LGHKSA1
仓库库存编号:
IPP039N04LGHKSA1-ND
别名:SP000391494
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP034N03LGHKSA1
仓库库存编号:
IPP034N03LGHKSA1-ND
别名:SP000237660
规格:功率耗散(最大值) 94W(Tc),
无铅
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