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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS05N03LB G
  仓库库存编号：IPS05N03LB G-ND
  别名：IPS05N03LBGX
  SP000220140
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSH4N03LA G
  仓库库存编号：IPSH4N03LA G-ND
  别名：IPSH4N03LAGX
  SP000016331
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 94W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：IPU05N03LA
  仓库库存编号：IPU05N03LA-ND
  别名：SP000014903
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU05N03LA G
  仓库库存编号：IPU05N03LA G-ND
  别名：IPU05N03LAGX
  SP000017595
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU06N03LB G
  仓库库存编号：IPU06N03LB G-ND
  别名：IPU06N03LBGX
  SP000209113
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LB G
  仓库库存编号：IPB05N03LBGINCT-ND
  别名：IPB05N03LBG
  IPB05N03LBGINCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103STRRPBF
  仓库库存编号：IRL3103STRRPBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS031N03L G
  仓库库存编号：IPS031N03LGIN-ND
  别名：IPS031N03LGIN
  IPS031N03LGXK
  SP000256160
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N03S4L04AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N03S4L04AKSA1-ND
  别名：IPI80N03S4L-04
  IPI80N03S4L-04-ND
  SP000274983
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N03S4L04AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N03S4L04AKSA1-ND
  别名：IPP80N03S4L-04
  IPP80N03S4L-04-ND
  SP000274981
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI126N10N3 G
  仓库库存编号：IPI126N10N3 G-ND
  别名：IPI126N10N3G
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB039N04LGATMA1
  仓库库存编号：IPB039N04LGATMA1CT-ND
  别名：IPB039N04L GCT
  IPB039N04L GCT-ND
  IPB039N04LG
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB041N04NGATMA1
  仓库库存编号：IPB041N04NGATMA1CT-ND
  别名：IPB041N04N GCT
  IPB041N04N GCT-ND
  IPB041N04NG
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD038N04NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD038N04NGBTMA1CT-ND
  别名：IPD038N04N GCT
  IPD038N04N GCT-ND
  IPD038N04NG
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD122N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD122N10N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD122N10N3 GCT
  IPD122N10N3 GCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP039N04LGHKSA1
  仓库库存编号：IPP039N04LGHKSA1-ND
  别名：SP000391494
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP034N03LGHKSA1
  仓库库存编号：IPP034N03LGHKSA1-ND
  别名：SP000237660
  
  规格：功率耗散（最大值） 94W（Tc）,
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