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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU9N20D
  仓库库存编号：IRFU9N20D-ND
  别名：*IRFU9N20D
  
  规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N15DTR
  仓库库存编号：IRFR13N15DTR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N15DTRL
  仓库库存编号：IRFR13N15DTRL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N15DTRR
  仓库库存编号：IRFR13N15DTRR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9N20DTR
  仓库库存编号：IRFR9N20DTR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9N20DTRL
  仓库库存编号：IRFR9N20DTRL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9N20DTRR
  仓库库存编号：IRFR9N20DTRR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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