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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Ta） 2.1W（Ta） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDM3622
  仓库库存编号：FDM3622CT-ND
  别名：FDM3622CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 5.5A TSOP6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 2.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6409A
  仓库库存编号：785-1598-1-ND
  别名：785-1598-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.1W（Ta） MicroFet 1.6x1.6 薄型
  
  型号：FDME820NZT
  仓库库存编号：FDME820NZTCT-ND
  别名：FDME820NZTCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 2.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6409
  仓库库存编号：785-1074-1-ND
  别名：785-1074-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFETBVDSS:25V 30VU-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2.1W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMN3042LFDF-7
  仓库库存编号：DMN3042LFDF-7DICT-ND
  别名：DMN3042LFDF-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 2.1W（Ta） TO-252-4L
  
  型号：DMNH6021SK3Q-13
  仓库库存编号：DMNH6021SK3Q-13DICT-ND
  别名：DMNH6021SK3Q-13DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 2.1W（Ta） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：MCP87130T-U/MF
  仓库库存编号：MCP87130T-U/MFCT-ND
  别名：MCP87130T-U/MFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 2.1W（Ta） MicroFet 1.6x1.6 薄型
  
  型号：FDME430NT
  仓库库存编号：FDME430NTCT-ND
  别名：FDME430NTCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 2.1W（Ta） MicroFet 1.6x1.6 薄型
  
  型号：FDME510PZT
  仓库库存编号：FDME510PZTCT-ND
  别名：FDME510PZTCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 2.1W（Ta） MicroFet 1.6x1.6 薄型
  
  型号：FDME910PZT
  仓库库存编号：FDME910PZTCT-ND
  别名：FDME910PZTCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.1W（Ta） MicroFet 1.6x1.6 薄型
  
  型号：FDME410NZT
  仓库库存编号：FDME410NZTCT-ND
  别名：FDME410NZTCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 6-UMLP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 2.1W（Ta） MicroFet 1.6x1.6 薄型
  
  型号：FDME905PT
  仓库库存编号：FDME905PTFSCT-ND
  别名：FDME905PTFSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Ta） 2.1W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMN3025LFDF-13
  仓库库存编号：DMN3025LFDF-13-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.1W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMN3042LFDF-13
  仓库库存编号：DMN3042LFDF-13-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Ta） 2.1W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：DMN6070SY-13
  仓库库存编号：DMN6070SY-13-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.2A（Ta） 2.1W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMN2011UFDF-13
  仓库库存编号：DMN2011UFDF-13-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Ta） 2.1W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMN3025LFDF-7
  仓库库存编号：DMN3025LFDF-7-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.2A（Ta） 2.1W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMN2011UFDF-7
  仓库库存编号：DMN2011UFDF-7-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.1W（Ta） TO-252-4L
  
  型号：DMNH6021SK3-13
  仓库库存编号：DMNH6021SK3-13-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 100V 52.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52.5A（Ta） 2.1W（Ta） TO-252-4L
  
  型号：DMTH10H015LK3-13
  仓库库存编号：DMTH10H015LK3-13-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 100V 28A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 2.1W（Ta） TO-252-4L
  
  型号：DMTH10H030LK3-13
  仓库库存编号：DMTH10H030LK3-13-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.1W（Ta） PG-TDSON-8
  
  型号：BSZ0994NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ0994NSATMA1-ND
  别名：SP001586402
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 2.1W（Ta） PG-TDSON-8
  
  型号：BSZ0589NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ0589NSATMA1-ND
  别名：SP001586396
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.5A（Ta） 2.1W（Ta） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDM6296
  仓库库存编号：FDM6296CT-ND
  别名：FDM6296CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A BGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.1W（Ta） 18-BGA（2.5x4）
  
  型号：FDZ7296
  仓库库存编号：FDZ7296CT-ND
  别名：FDZ7296CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）,
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