规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2A MCPH6
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 800mW（Ta） 6-MCPH
型号：
MCH6344-TL-H
仓库库存编号：
MCH6344-TL-H-ND
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.9A（Ta） 800mW（Ta） ChipFET?
型号：
NTHS4166NT1G
仓库库存编号：
NTHS4166NT1GOSCT-ND
别名：NTHS4166NT1GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.1A（Ta） 800mW（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
型号：
DMT3006LFDF-7
仓库库存编号：
DMT3006LFDF-7-ND
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 800mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS4939NR2G
仓库库存编号：
NTMS4939NR2G-ND
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Tc） 800mW（Ta） SOT-223
型号：
MMFT960T1
仓库库存编号：
MMFT960T1OSCT-ND
别名：MMFT960T1OSCT
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 0.25A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 250mA（Tc） 800mW（Ta） SOT-223
型号：
MMFT107T1
仓库库存编号：
MMFT107T1OSDKR-ND
别名：MMFT107T1OSDKR
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.6A（Ta） 800mW（Ta） SOT-223
型号：
MMFT2N02ELT1
仓库库存编号：
MMFT2N02ELT1OSDKR-ND
别名：MMFT2N02ELT1OSDKR
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.8A（Ta） 800mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS7N03R2
仓库库存编号：
NTMS7N03R2OS-ND
别名：NTMS7N03R2OS
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Tc） 800mW（Ta） SOT-223
型号：
MMFT960T1G
仓库库存编号：
MMFT960T1GOSCT-ND
别名：MMFT960T1GOS
MMFT960T1GOS-ND
MMFT960T1GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM
详细描述：通孔 P 沟道 60V 270mA（Ta） 800mW（Ta） TO-92-18RM
型号：
BS250KL-TR1-E3
仓库库存编号：
BS250KL-TR1-E3CT-ND
别名：BS250KL-T1-E3CT
BS250KL-T1-E3CT-ND
BS250KL-TR1-E3CT
BS250KLTR1E3
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 60V 270mA（Ta） 800mW（Ta） TO-226AA
型号：
TP0610KL-TR1-E3
仓库库存编号：
TP0610KL-TR1-E3CT-ND
别名：TP0610KL-TR1-E3CT
TP0610KLTR1E3
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 35V 2.5A MCPH6
详细描述：表面贴装 N 沟道 35V 2.5A（Ta） 800mW（Ta） 6-MCPH
型号：
MCH6444-TL-H
仓库库存编号：
MCH6444-TL-H-ND
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.5A SCH6
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.5A（Ta） 800mW（Ta） 6-SCH
型号：
SCH1335-TL-H
仓库库存编号：
SCH1335-TL-H-ND
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A SCH6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Ta） 800mW（Ta） 6-SCH
型号：
SCH1434-TL-H
仓库库存编号：
SCH1434-TL-H-ND
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 1.6A SCH6
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 1.6A（Ta） 800mW（Ta） 6-SCH
型号：
SCH1334-TL-H
仓库库存编号：
SCH1334-TL-H-ND
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.4A（Ta） 800mW（Ta） 4-WLCSP（1.6x1.6）
型号：
AOC2411
仓库库存编号：
785-1419-1-ND
别名：785-1419-1
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.6A MCPH3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.6A（Tc） 800mW（Ta） SC-70FL/MCPH3
型号：
MCH3375-TL-H
仓库库存编号：
MCH3375-TL-H-ND
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2A MCPH3
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2A（Ta） 800mW（Ta） SC-70FL/MCPH3
型号：
MCH3382-TL-H
仓库库存编号：
MCH3382-TL-H-ND
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2A（Ta） 800mW（Ta） SC-70FL/MCPH3
型号：
MCH3481-TL-H
仓库库存编号：
MCH3481-TL-H-ND
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2A SCH6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2A（Ta） 800mW（Ta） 6-SCH
型号：
SCH1333-TL-H
仓库库存编号：
SCH1333-TL-H-ND
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.3A（Ta） 800mW（Ta） 3-MPAK
型号：
RQJ0303PGDQA#H6
仓库库存编号：
RQJ0303PGDQA#H6-ND
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.5A MCPH5
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.5A（Ta） 800mW（Ta） 5-MCPH
型号：
MCH5839-TL-H
仓库库存编号：
MCH5839-TL-H-ND
规格：功率耗散（最大值） 800mW（Ta）,
无铅
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