规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9Z34NSTRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRLZ34NSTRLPBFCT-ND
别名:IRLZ34NSTRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ34NSTRLPBFCT-ND
别名:IRFZ34NSTRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303S
仓库库存编号:
IRL3303S-ND
别名:*IRL3303S
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NS
仓库库存编号:
IRFZ34NS-ND
别名:*IRFZ34NS
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ34NSTRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34NS
仓库库存编号:
IRLZ34NS-ND
别名:*IRLZ34NS
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34NSTRR
仓库库存编号:
IRLZ34NSTRR-ND
别名:Q971401
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ34NL
仓库库存编号:
IRFZ34NL-ND
别名:*IRFZ34NL
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRL3303L
仓库库存编号:
IRL3303L-ND
别名:*IRL3303L
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ34NL
仓库库存编号:
IRLZ34NL-ND
别名:*IRLZ34NL
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z34NL
仓库库存编号:
IRF9Z34NL-ND
别名:*IRF9Z34NL
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34NSTRR
仓库库存编号:
IRF9Z34NSTRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303STRL
仓库库存编号:
IRL3303STRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303STRR
仓库库存编号:
IRL3303STRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ34NLPBF
仓库库存编号:
IRFZ34NLPBF-ND
别名:*IRFZ34NLPBF
SP001557826
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ34NLPBF
仓库库存编号:
IRLZ34NLPBF-ND
别名:*IRLZ34NLPBF
SP001552974
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z34NLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34NLPBF-ND
别名:*IRF9Z34NLPBF
SP001570616
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303SPBF
仓库库存编号:
IRL3303SPBF-ND
别名:*IRL3303SPBF
SP001573716
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
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型号:
IRL3303LPBF
仓库库存编号:
IRL3303LPBF-ND
别名:*IRL3303LPBF
SP001568474
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303STRRPBF
仓库库存编号:
IRL3303STRRPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc),
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IRL3303STRLPBF
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IRL3303STRLPBF-ND
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