规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),139W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC031N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC031N06NS3 GCT
BSC031N06NS3 GCT-ND
BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),139W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC016N04LS G
仓库库存编号:
BSC016N04LS GCT-ND
别名:BSC016N04LS GCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),139W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC040N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC040N10NS5ATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),139W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8 FL
型号:
BSC010N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC010N04LSATMA1CT-ND
别名:BSC010N04LSATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),139W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC028N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC028N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC028N06LS3 GCT
BSC028N06LS3 GCT-ND
BSC028N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),139W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8 FL
型号:
BSC010N04LSIATMA1
仓库库存编号:
BSC010N04LSIATMA1CT-ND
别名:BSC010N04LSIATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),139W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC014N03MS G
仓库库存编号:
BSC014N03MS GCT-ND
别名:BSC014N03MS GCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),139W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC017N04NS G
仓库库存编号:
BSC017N04NS GCT-ND
别名:BSC017N04NS GCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),139W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC014N03LS G
仓库库存编号:
BSC014N03LS GCT-ND
别名:BSC014N03LS GCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),139W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC030N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC030N08NS5ATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),139W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC016N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC016N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC016N06NS
BSC016N06NS-ND
BSC016N06NSATMA1CT
BSC016N06NSCT-ND
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