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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD110N12N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD110N12N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD110N12N3GATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD600N25N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD600N25N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD600N25N3GATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD320N20N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD320N20N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD320N20N3GATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD50P06-15L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P06-15L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P06-15L_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB320N20N3 G
  仓库库存编号：IPB320N20N3 GCT-ND
  别名：IPB320N20N3 GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N06S2L13ATMA4
  仓库库存编号：IPD30N06S2L13ATMA4CT-ND
  别名：IPD30N06S2L13ATMA4CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N03S4L-02
  仓库库存编号：IPD90N03S4L-02CT-ND
  别名：IPD90N03S4L-02CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 P 沟道 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120P04P4L03AKSA1
  仓库库存编号：IPP120P04P4L03AKSA1-ND
  别名：SP000842300
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP600N25N3 G
  仓库库存编号：IPP600N25N3 G-ND
  别名：IPP600N25N3G
  IPP600N25N3GXKSA1
  SP000677832
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP320N20N3 G
  仓库库存编号：IPP320N20N3 G-ND
  别名：IPP320N20N3G
  IPP320N20N3GXKSA1
  SP000677842
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB067N08N3 G
  仓库库存编号：IPB067N08N3 GCT-ND
  别名：IPB067N08N3 GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 100V TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 136W（Tc） TO-252
  
  型号：SQD40P10-40L_GE3
  仓库库存编号：SQD40P10-40L_GE3CT-ND
  别名：SQD40P10-40L_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 86A DPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 136W（Tc） D-PAK（TO-252）
  
  型号：SQR70090ELR_GE3
  仓库库存编号：SQR70090ELR_GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD50N06-09L_GE3
  仓库库存编号：SQD50N06-09L_GE3CT-ND
  别名：SQD50N06-09L_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N06S215ATMA2
  仓库库存编号：IPD30N06S215ATMA2CT-ND
  别名：IPD30N06S215ATMA2CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 100V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252
  
  型号：SQD50N10-8M9L_GE3
  仓库库存编号：SQD50N10-8M9L_GE3CT-ND
  别名：SQD50N10-8M9L_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD90P04-9M4L_GE3
  仓库库存编号：SQD90P04-9M4L_GE3TR-ND
  别名：SQD90P04-9M4L_GE3TR
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD90P04-9M4L_GE3
  仓库库存编号：SQD90P04-9M4L_GE3CT-ND
  别名：SQD90P04-9M4L_GE3-ND
  SQD90P04-9M4L_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD50P04-09L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P04-09L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P04-09L_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S2L06GBTMA1
  仓库库存编号：SPD50N03S2L06GBTMA1CT-ND
  别名：SPD50N03S2L-06 GCT
  SPD50N03S2L-06 GCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N03S2L06ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N03S2L06ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N08S2L21ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
  别名：IPD30N08S2L-21CT
  IPD30N08S2L-21CT-ND
  IPD30N08S2L21ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S2L06T
  仓库库存编号：SPD50N03S2L06XTINCT-ND
  别名：SPD50N03S2L06XTINCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120P04P4L03ATMA1
  仓库库存编号：IPB120P04P4L03ATMA1CT-ND
  别名：IPB120P04P4L03ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N03S4L-03
  仓库库存编号：IPP80N03S4L-03-ND
  别名：IPP80N03S4L03
  IPP80N03S4L03AKSA1
  SP000275328
  
  规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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