品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD110N12N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD110N12N3GATMA1CT-ND
别名:IPD110N12N3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD600N25N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD600N25N3GATMA1CT-ND
别名:IPD600N25N3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD320N20N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD320N20N3GATMA1CT-ND
别名:IPD320N20N3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB320N20N3 G
仓库库存编号:
IPB320N20N3 GCT-ND
别名:IPB320N20N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S2L13ATMA4
仓库库存编号:
IPD30N06S2L13ATMA4CT-ND
别名:IPD30N06S2L13ATMA4CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N03S4L-02
仓库库存编号:
IPD90N03S4L-02CT-ND
别名:IPD90N03S4L-02CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
详细描述:通孔 P 沟道 120A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120P04P4L03AKSA1
仓库库存编号:
IPP120P04P4L03AKSA1-ND
别名:SP000842300
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP600N25N3 G
仓库库存编号:
IPP600N25N3 G-ND
别名:IPP600N25N3G
IPP600N25N3GXKSA1
SP000677832
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP320N20N3 G
仓库库存编号:
IPP320N20N3 G-ND
别名:IPP320N20N3G
IPP320N20N3GXKSA1
SP000677842
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB067N08N3 G
仓库库存编号:
IPB067N08N3 GCT-ND
别名:IPB067N08N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S215ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S215ATMA2CT-ND
别名:IPD30N06S215ATMA2CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L06GBTMA1
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06GBTMA1CT-ND
别名:SPD50N03S2L-06 GCT
SPD50N03S2L-06 GCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N03S2L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND
别名:IPD50N03S2L06ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N08S2L21ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
别名:IPD30N08S2L-21CT
IPD30N08S2L-21CT-ND
IPD30N08S2L21ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L06T
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06XTINCT-ND
别名:SPD50N03S2L06XTINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 120A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120P04P4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB120P04P4L03ATMA1CT-ND
别名:IPB120P04P4L03ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N03S4L-03
仓库库存编号:
IPP80N03S4L-03-ND
别名:IPP80N03S4L03
IPP80N03S4L03AKSA1
SP000275328
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP114N12N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP114N12N3GXKSA1-ND
别名:IPP114N12N3 G
IPP114N12N3 G-ND
IPP114N12N3G
SP000652740
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB600N25N3 G
仓库库存编号:
IPB600N25N3 GCT-ND
别名:IPB600N25N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N03S207ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N03S207ATMA1TR-ND
别名:IPD50N03S2-07
IPD50N03S2-07-ND
SP000254462
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD127N06LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD127N06LGBTMA1CT-ND
别名:IPD127N06LG
IPD127N06LGINCT
IPD127N06LGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
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MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N06S2L13ATMA2
仓库库存编号:
IPD50N06S2L13ATMA2-ND
别名:SP001063626
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N08S222ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N08S222ATMA1TR-ND
别名:IPD30N08S2-22
IPD30N08S2-22-ND
SP000252169
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
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MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N06S214ATMA2
仓库库存编号:
IPD50N06S214ATMA2-ND
别名:SP001063624
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
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MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N03S4L02ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N03S4L02ATMA1TR-ND
别名:IPB80N03S4L-02
IPB80N03S4L-02-ND
IPB80N03S4L-02INTR
IPB80N03S4L-02INTR-ND
SP000273282
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
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