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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 136W（Tc） TO-220
型号：
STP90N6F6
仓库库存编号：
497-15019-5-ND
别名：497-15019-5
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP114N12N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP114N12N3GXKSA1-ND
别名：IPP114N12N3 G
IPP114N12N3 G-ND
IPP114N12N3G
SP000652740
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 136W（Tc） D2PAK
型号：
NTB6413ANT4G
仓库库存编号：
NTB6413ANT4GOSCT-ND
别名：NTB6413ANT4GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 80V TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD50P08-25L_GE3
仓库库存编号：
SQD50P08-25L_GE3CT-ND
别名：SQD50P08-25L_GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8A
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 136W（Tc） TO-220
型号：
FCP850N80Z
仓库库存编号：
FCP850N80Z-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB600N25N3 G
仓库库存编号：
IPB600N25N3 GCT-ND
别名：IPB600N25N3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 107A（Tc） 136W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL110N10F7
仓库库存编号：
497-13877-1-ND
别名：497-13877-1
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L
详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 136W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SQJQ480E-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ480E-T1_GE3CT-ND
别名：SQJQ480E-T1_GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 136W（Tc） TO-220
型号：
STP160N3LL
仓库库存编号：
497-16021-5-ND
别名：497-16021-5
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 136W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL100N12F7
仓库库存编号：
STL100N12F7-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 136W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL160N3LLH6
仓库库存编号：
497-11204-1-ND
别名：497-11204-1
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），145A（Tc） 136W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH3004LPSQ-13
仓库库存编号：
DMTH3004LPSQ-13-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD100N03-3M4_GE3
仓库库存编号：
SQD100N03-3M4_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD100N04-3M6_GE3
仓库库存编号：
SQD100N04-3M6_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD100N04-3M6L_GE3
仓库库存编号：
SQD100N04-3M6L_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD100N03-3M2L_GE3
仓库库存编号：
SQD100N03-3M2L_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 40V 50A（Tc） 136W（Tc） D-PAK（TO-252）
型号：
SQR50N04-3M8_GE3
仓库库存编号：
SQR50N04-3M8_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 97A（Tc） 136W（Tc） TO-252
型号：
SQD97N06-6M3L_GE3
仓库库存编号：
SQD97N06-6M3L_GE3-ND
别名：SQD97N06-6M3L-GE3
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Tc） 136W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQR40N10-25_GE3
仓库库存编号：
SQR40N10-25_GE3-ND
别名：SQR40N10-25-GE3
SQR40N10-25-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD50N04-4M5L_GE3
仓库库存编号：
SQD50N04-4M5L_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD50P03-07_GE3
仓库库存编号：
SQD50P03-07_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 48A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD50P08-28_GE3
仓库库存编号：
SQD50P08-28_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 47A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 136W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM47N10-24L_GE3
仓库库存编号：
SQM47N10-24L_GE3-ND
别名：SQM47N10-24L-GE3
SQM47N10-24L-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP50N06-09L_GE3
仓库库存编号：
SQP50N06-09L_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD40N10-25_GE3
仓库库存编号：
SQD40N10-25_GE3-ND
别名：SQD40N10-25-GE3
SQD40N10-25-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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