规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 115A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 115A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50N04-05L-E3
仓库库存编号：
SUD50N04-05L-E3-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 96A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 96A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50N06-07L-E3
仓库库存编号：
SUD50N06-07L-E3CT-ND
别名：SUD50N06-07L-E3CT
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 136W（Tc） D2PAK-3
型号：
NVB6413ANT4G
仓库库存编号：
NVB6413ANT4G-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150V 27A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3315
仓库库存编号：
IRF3315-ND
别名：*IRF3315
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L-07
仓库库存编号：
SPD30N03S2L07INCT-ND
别名：SPD30N03S2L07
SPD30N03S2L07INCT
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD50N03S2L-06
仓库库存编号：
SPD50N03S2L06INCT-ND
别名：SPD50N03S2L06
SPD50N03S2L06INCT
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF640,127
仓库库存编号：
568-1161-5-ND
别名：568-1161-5
934055545127
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L07T
仓库库存编号：
SPD30N03S2L07T-ND
别名：SP000013749
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 35A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 110V 35A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
PHP34NQ11T,127
仓库库存编号：
PHP34NQ11T,127-ND
别名：934058503127
PHP34NQ11T
PHP34NQ11T-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 136W（Tc） DPAK
型号：
PHD34NQ10T,118
仓库库存编号：
PHD34NQ10T,118-ND
别名：934055807118
PHD34NQ10T /T3
PHD34NQ10T /T3-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 136W（Tc） DPAK
型号：
PHD82NQ03LT,118
仓库库存编号：
PHD82NQ03LT,118-ND
别名：934057026118
PHD82NQ03LT /T3
PHD82NQ03LT /T3-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S3L06XK
仓库库存编号：
IPI80N06S3L06XK-ND
别名：IPI80N06S3L-06
IPI80N06S3L-06-ND
IPI80N06S3L-06IN
IPI80N06S3L-06IN-ND
IPI80N06S3L06X
SP000088002
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S3L-06
仓库库存编号：
IPP80N06S3L-06-ND
别名：IPP80N06S3L06X
IPP80N06S3L06XK
SP000088006
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
型号：
SPD30N06S2-15
仓库库存编号：
SPD30N06S2-15-ND
别名：SP000012477
SPD30N06S215T
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
型号：
SPD30N06S2L-13
仓库库存编号：
SPD30N06S2L-13-ND
别名：SP000012478
SPD30N06S2L13T
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
型号：
SPD30N08S2-22
仓库库存编号：
SPD30N08S2-22-ND
别名：SP000013153
SPD30N08S222T
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
型号：
SPD30N08S2L-21
仓库库存编号：
SPD30N08S2L-21-ND
别名：SP000013152
SPD30N08S2L21T
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD50N03S2-07
仓库库存编号：
SPD50N03S2-07-ND
别名：SP000016253
SP000077579
SPD50N03S207XT
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
型号：
SPD50N06S2L-13
仓库库存编号：
SPD50N06S2L-13-ND
别名：SP000013568
SPD50N06S2L13T
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S3L-06
仓库库存编号：
IPB80N06S3L-06INCT-ND
别名：IPB80N06S3L-06INCT
IPB80N06S3L06
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD144N06NGBTMA1
仓库库存编号：
IPD144N06NGBTMA1CT-ND
别名：IPD144N06NG
IPD144N06NGINCT
IPD144N06NGINCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N03S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N03S2L07ATMA1TR-ND
别名：IPD30N03S2L-07
IPD30N03S2L-07-ND
SP000254463
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N06S214ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N06S214ATMA1TR-ND
别名：IPD50N06S2-14
IPD50N06S2-14-ND
SP000252171
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N06S2L13ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N06S2L13ATMA1TR-ND
别名：IPD50N06S2L-13
IPD50N06S2L-13-ND
SP000252172
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI070N08N3 G
仓库库存编号：
IPI070N08N3 G-ND
别名：SP000454290
规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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