规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(109)
分立半导体产品
(109)
筛选品牌
Diodes Incorporated (1)
Infineon Technologies (66)
Nexperia USA Inc. (1)
NXP USA Inc. (5)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
ON Semiconductor (3)
STMicroelectronics (6)
Vishay Siliconix (26)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S304AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S304AKSA1-ND
别名:IPI80N04S3-04
IPI80N04S3-04-ND
SP000261226
规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP070N08N3 G
仓库库存编号:
IPP070N08N3 G-ND
规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S3-04
仓库库存编号:
IPP80N04S3-04-ND
别名:IPP80N04S304
IPP80N04S304AKSA1
SP000261230
规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS110N12N3GBKMA1
仓库库存编号:
IPS110N12N3GBKMA1-ND
别名:IPS110N12N3 G
IPS110N12N3 G-ND
IPS110N12N3GBKMA1TR-ND
SP000674456
规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L07GBTMA1
仓库库存编号:
SPD30N03S2L07GBTMA1TR-ND
别名:SP000443922
SPD30N03S2L-07 G
SPD30N03S2L-07 G-ND
规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD110N12N3GBUMA1
仓库库存编号:
IPD110N12N3GBUMA1CT-ND
别名:IPD110N12N3 GCT
IPD110N12N3 GCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD600N25N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD600N25N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD600N25N3 GCT
IPD600N25N3 GCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S207GBTMA1
仓库库存编号:
SPD50N03S207GBTMA1CT-ND
别名:SPD50N03S2-07 GCT
SPD50N03S2-07 GCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N06S2L-13
仓库库存编号:
IPD30N06S2L-13CT-ND
别名:IPD30N06S2L-13CT
规格:功率耗散(最大值) 136W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号