规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5305STRLPBF
仓库库存编号:
IRF5305STRLPBFCT-ND
别名:IRF5305STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ44NPBF
仓库库存编号:
IRLZ44NPBF-ND
别名:*IRLZ44NPBF
SP001568772
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ44NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRLZ44NSTRLPBFCT-ND
别名:IRLZ44NSTRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6215STRLPBF
仓库库存编号:
IRF6215STRLPBFCT-ND
别名:IRF6215STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLT3G-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 38A(Ta),200A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLAFT3G-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C430NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C430NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5C430NLT1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLWFT3G-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 38A(Ta),200A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLWFAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLWFAFT3G-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLT1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 38A(Ta),200A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLAFT1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLWFT1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),200A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLWFAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLWFAFT1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF6215STRL
仓库库存编号:
AUIRF6215STRLTR-ND
别名:AUIRF6215STRLTR
SP001522066
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
94-4582
仓库库存编号:
94-4582-ND
别名:*IRF5305S
IRF5305S
IRF5305S-ND
SP001520922
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6215S
仓库库存编号:
IRF6215S-ND
别名:*IRF6215S
SP001551138
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6215STRR
仓库库存编号:
IRF6215STRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 47A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ44NSTRR
仓库库存编号:
IRLZ44NSTRR-ND
别名:SP001574180
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5305STRR
仓库库存编号:
IRF5305STRR-ND
别名:Q971401A
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 47A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ44NL
仓库库存编号:
IRLZ44NL-ND
别名:*IRLZ44NL
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF5305L
仓库库存编号:
IRF5305L-ND
别名:*IRF5305L
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF6215L
仓库库存编号:
IRF6215L-ND
别名:*IRF6215L
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF6215L-103
仓库库存编号:
IRF6215L-103-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 47A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ44NLPBF
仓库库存编号:
IRLZ44NLPBF-ND
别名:*IRLZ44NLPBF
SP001577060
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF6215L-103PBF
仓库库存编号:
IRF6215L-103PBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc),
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