规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB042N10N3 G
仓库库存编号：
IPB042N10N3 GCT-ND
别名：IPB042N10N3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP045N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP045N10N3GXKSA1-ND
别名：IPP045N10N3 G
IPP045N10N3 G-ND
IPP045N10N3G
SP000680794
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 214W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA70N10
仓库库存编号：
FQA70N10-ND
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB035N08N3 G
仓库库存编号：
IPB035N08N3 GCT-ND
别名：IPB035N08N3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB030N08N3 G
仓库库存编号：
IPB030N08N3 GCT-ND
别名：IPB030N08N3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP037N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP037N08N3GXKSA1-ND
别名：IPP037N08N3 G
IPP037N08N3 G-ND
IPP037N08N3G
SP000680776
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 90A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 214W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA90N08
仓库库存编号：
FQA90N08-ND
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
FDB024N04AL7
仓库库存编号：
FDB024N04AL7CT-ND
别名：FDB024N04AL7CT
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 80V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 214W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP039N08B_F102
仓库库存编号：
FDP039N08B_F102-ND
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S3-H2
仓库库存编号：
IPB160N04S3H2ATMA1CT-ND
别名：IPB160N04S3-H2CT
IPB160N04S3-H2CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 83A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB108N15N3 G
仓库库存编号：
IPB108N15N3 GCT-ND
别名：IPB108N15N3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 214W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19531KCS
仓库库存编号：
296-37480-5-ND
别名：296-37480-5
CSD19531KCS-ND
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 214W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP250NPBF
仓库库存编号：
IRFP250NPBF-ND
别名：*IRFP250NPBF
SP001554946
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP034NE7N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP034NE7N3GXKSA1-ND
别名：IPP034NE7N3 G
IPP034NE7N3 G-ND
IPP034NE7N3G
SP000641724
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI045N10N3 G
仓库库存编号：
IPI045N10N3 G-ND
别名：IPI045N10N3G
IPI045N10N3GXKSA1
SP000482424
SP000683068
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tc） Power56
型号：
FDMS86368_F085
仓库库存编号：
FDMS86368_F085CT-ND
别名：FDMS86368_F085CT
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S3-03
仓库库存编号：
IPB100N04S303ATMA1CT-ND
别名：IPB100N04S3-03CT
IPB100N04S3-03CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB080N06N G
仓库库存编号：
IPB080N06NGINCT-ND
别名：IPB080N06NG
IPB080N06NGINCT
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N06S3L04XK
仓库库存编号：
IPI100N06S3L04XK-ND
别名：IPI100N06S3L-04
IPI100N06S3L-04-ND
IPI100N06S3L-04IN
IPI100N06S3L-04IN-ND
IPI100N06S3L04X
SP000102211
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB039N10N3 G
仓库库存编号：
IPB039N10N3 GCT-ND
别名：IPB039N10N3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 214W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP250MPBF
仓库库存编号：
IRFP250MPBF-ND
别名：SP001566168
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 83A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP111N15N3 G
仓库库存编号：
IPP111N15N3 G-ND
别名：IPP111N15N3G
IPP111N15N3GXKSA1
SP000677860
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 214W（Tc） TO-247-3
型号：
STW20NM60FD
仓库库存编号：
497-5415-5-ND
别名：497-5415-5
STW20NM60FD-ND
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 214W（Tc） TO-247-3
型号：
STW20NM50FD
仓库库存编号：
497-2717-5-ND
别名：497-2717-5
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB042N10N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB042N10N3GE8187ATMA1TR-ND
别名：IPB042N10N3 G E8187
IPB042N10N3 G E8187-ND
IPB042N10N3 G E8187TR-ND
SP000939332
规格：功率耗散（最大值） 214W（Tc）,
无铅
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