规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB06CN10N G
仓库库存编号:
IPB06CN10N G-ND
别名:SP000096446
规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI037N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI037N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI037N08N3 G
IPI037N08N3 G-ND
SP000454278
规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI06CN10N G
仓库库存编号:
IPI06CN10N G-ND
别名:SP000208924
SP000680668
规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N04S303AKSA1
仓库库存编号:
IPI100N04S303AKSA1-ND
别名:IPI100N04S3-03
IPI100N04S3-03-ND
SP000261223
规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP06CN10LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP06CN10LGXKSA1-ND
别名:IPP06CN10L G
IPP06CN10L G-ND
SP000308789
SP000680820
规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI034NE7N3 G
仓库库存编号:
IPI034NE7N3 G-ND
别名:IPI034NE7N3G
规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP037N08N3GE8181XKSA1
仓库库存编号:
IPP037N08N3GE8181XKSA1-ND
别名:IPP037N08N3 G E8181
IPP037N08N3 G E8181-ND
SP000765976
规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 140A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB023N06N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB023N06N3GATMA1CT-ND
别名:IPB023N06N3 GCT
IPB023N06N3 GCT-ND
IPB023N06N3G
规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP06CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP06CN10NGXKSA1-ND
别名:SP000680822
规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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